超薄高效MicroFET产品FDMA1027，一款20V P沟道PowerTrench MOSFET，FDFMA2P853则是20V P沟道PowerTrench MOSFET，带有肖特基二极管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封装。

相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET,新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。

FDMA1027和FDFMA2P853采用无铅 (Pb-free) 端子，潮湿敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均满足欧盟有害物质限用指令 (RoHS) 的要求。

32.768K的时钟晶体来做时钟，而不是通过单片机的晶体分频来做时钟，其中原因想必很多人也不明白，其实上这是和晶体的稳定度有关：频率越高的晶体，Q值一般难以做高，频率稳定度也比较差；而 32.768K晶体在稳定度等各方面的性能表现都不错，还形成了一个工业标准，比较容易做高。

另外值得一提的是，32.768K是16 bit数据的一半，预留最高1 bit进位标志，用作定时计数器内部数字计算处理也非常方便。

承受输入到输出4000VAC电压，输入到地1500VAC电压，输出到地500VAC。可工作在90---264VAC通用输入，功率因子典型值是0.98.其它特性还包括PFD，远程抑制，远程传感，过压，过流和热保护。器件在0°C---+50°C环境温度，可以满负载工作。

+50°C---+70°C开始从额定100%线性降低到50%。该系列具有高可靠性，以满负载25°C环境每 MIL-HDBK-217F 具有300000小时最小MTBF。

TM650系列符合EN60601-1-2 EMC标准,包括EN55011 (class B导电, class A辐射),EN61000-3-2 class A与D,EN61000-4-2,EN61000-4-3,EN61000-4-5,EN61000-4-11。

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