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线路检测的无负载损耗小于30mW满足EcoSmart™能量效率

发布时间:2021/12/17 17:50:58 访问次数:774

InnoSwitch4-CZ和ClampZero组合大大地降低系统和初级开关损耗,允许有极高的功率密度.InnoSwitch4-CZ系列还集成了多个保护特性包括输出过压和过流限制与超温关断.

效率高达96%,包括线路检测的无负载损耗小于30mW,满足EcoSmart™能量效率.

器件的增强性隔离大于4000VAC,100%产品进行HIPOT测试,取得UL1577和TUV (EN60950)安全认证.主要用在高达100W的高密度反激电源,高效率CV/CC电源和高效率USB PD适配器.

在像素芯片内,用于将光转换为电信号的光电二极管和用于控制信号的像素晶体管在同一基片层并列。在这样的结构限制下,如何实现饱和信号量的最大化,对实现高动态范围、高图像质量的摄影具有重要作用。

索尼开发出的全新结构是堆叠式 CMOS 图像传感器技术的一项进步。

索尼使用专有的堆叠技术,将光电二极管和像素晶体管封装在分离的基片上,一个堆叠在另一个上面。相比之下,在传统的堆叠式 CMOS 图像传感器中,光电二极管和像素晶体管并排位于同一基片上。


SAMA5D27C-CNVAO是高性能超低功耗基于ARM Cortex-A5核的MPU,工作频率高达500MHz.支持多种存储器如DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR1, LPDDR2, LPDDR3和QSPI闪存,以及连接和用户接口应用的功能强大外设.

此外还提供先进的安全特性(ARM TrustZone®,篡改检测,安全数据存储等)以及高性能加密处理器AES, SHA和 TRNG.和国际标准ISO-TS-16949兼容,器件还适合于汽车应用.

SAMA5D27C-CNVAO是高性能基于ARM Cortex-A5处理器的能量效率嵌入MPU,集成了用于加速多媒体和信号处理的ARM NEON SIMD引擎,可配置的128KB L2缓存器,用于高精度计算和可靠性能的浮点单元,以及高数据带宽架构.


(素材来源:eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

InnoSwitch4-CZ和ClampZero组合大大地降低系统和初级开关损耗,允许有极高的功率密度.InnoSwitch4-CZ系列还集成了多个保护特性包括输出过压和过流限制与超温关断.

效率高达96%,包括线路检测的无负载损耗小于30mW,满足EcoSmart™能量效率.

器件的增强性隔离大于4000VAC,100%产品进行HIPOT测试,取得UL1577和TUV (EN60950)安全认证.主要用在高达100W的高密度反激电源,高效率CV/CC电源和高效率USB PD适配器.

在像素芯片内,用于将光转换为电信号的光电二极管和用于控制信号的像素晶体管在同一基片层并列。在这样的结构限制下,如何实现饱和信号量的最大化,对实现高动态范围、高图像质量的摄影具有重要作用。

索尼开发出的全新结构是堆叠式 CMOS 图像传感器技术的一项进步。

索尼使用专有的堆叠技术,将光电二极管和像素晶体管封装在分离的基片上,一个堆叠在另一个上面。相比之下,在传统的堆叠式 CMOS 图像传感器中,光电二极管和像素晶体管并排位于同一基片上。


SAMA5D27C-CNVAO是高性能超低功耗基于ARM Cortex-A5核的MPU,工作频率高达500MHz.支持多种存储器如DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR1, LPDDR2, LPDDR3和QSPI闪存,以及连接和用户接口应用的功能强大外设.

此外还提供先进的安全特性(ARM TrustZone®,篡改检测,安全数据存储等)以及高性能加密处理器AES, SHA和 TRNG.和国际标准ISO-TS-16949兼容,器件还适合于汽车应用.

SAMA5D27C-CNVAO是高性能基于ARM Cortex-A5处理器的能量效率嵌入MPU,集成了用于加速多媒体和信号处理的ARM NEON SIMD引擎,可配置的128KB L2缓存器,用于高精度计算和可靠性能的浮点单元,以及高数据带宽架构.


(素材来源:eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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