高性能的ISL8201M低传导及切换损耗将确保稳压器模块

发布时间:2021/12/5 23:35:09 访问次数:310

Vishay Siliconix SiR440DP 将在同步降压转换器以及二级同步整流及 OR-ing 应用中用作低端 MOSFET。其低传导及切换损耗将确保稳压器模块 (VRM)、服务器及使用负载点 (POL) 功率转换的诸多系统实现功效更高且更节省空间的设计。

20V SiR866DP 和 SiR890DP n 通道功率 MOSFET。这些器件在 4.5V 时分别提供 2.5m的导通电阻，在 10V 时为 1.9m; 及 2.9m，典型栅极电荷为 35.3nC 及 20nC。

这些器件无铅 (Pb)，无卤素，并且符合 RoHS 标准，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。

Quad-Core AMD Opteron处理器(8346/8384)系列采用45-nm技术和浸没式光刻技术，能实现高35%的性能，空闲时功耗降低35%，并具有优越的虚拟化性能。“Shanghai” CPU支持改进的DDR2-800存储器和6-Mbyte 3级缓存，从而有助于加速存储密集的应用。

快速虚拟化索引,标签转换后备缓冲器,HyperTransport Technology3.02等特性。

处理器第一个系列为75-W ACP，在2.3——2.7 GHz工作。增强的HE（55-W）和SE（105-W）处理器计划于09年第一季度生产。

与之前的版本采用相同封装所有这三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封装,更低的导通电阻及栅极电荷意味着更低的传导损耗及切换损耗。

ISL8201M是高效率、低噪声、高集成度的DC/DC电源解决方案，在热增强的QFN封装内集成了PWM控制器、MOSFET驱动器、功率MOSFET、电感器，以及优化的补偿电路。

高集成度、高性能的ISL8201M采用小尺寸15mm x 15mm x 3.5mm QFN封装。

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