mPower 电源完整性解决方案进一步完善了西门子的电子物理签核(Signoff)套件，可全面处理功耗、性能和可靠性分析问题，该套件还包括 Calibre® PERC 软件、PowerPro™ 软件、HyperLynx™软件和 Analog FastSPICE 平台，设计人员现在可以使用全套西门子电源完整性设计流程进行设计。

设计公司必须进行模块和全芯片 EM/IR 分析，以确认电网能够为设备提供必需的电流，而且保证导线不会过早出现故障。

使用西门子创新的mPower解决方案,设计人员即拥有了可用于任何规模的模拟,数字和混合信号的layout的快速可扩展动态分析能力,面对最大规模的数字芯片,也可实现硅验证的精确度和快速周转时间。

PNJ方案相对普通Si MOSFET方案性能上有不少的提升，300V满载下效率提升将近4%。

与国外竞争产品相比，PNJ推出1700V,3Ω的SiC MOS效率可以和ROHM 1700V,1Ω SiC MOS SCT2H12NZ达到相同水平。

考虑到高压辅助电源，输入电流通常较小，导通损耗占比较小，开关损耗主导。通过优化寄生电容，从而获得更小的开关损耗，采用较大的Rds(on)即可获得与国外竞品相同的效率.较大的Rds(on),可以采用更小的芯片面积，从而降低SiC生产成本，获得价格优势。

由于母线电压通常大于600V,因此辅助电源需要采用2个800V Si MOS构成的双管反激电路，而采用1700V SiC MOS 由于可以耐更高的电压.

更小的Rds(on),可以采用1个SiC MOS构成更为简单的反激电路实现，从而大幅减小了元器件数量，设计更简单，驱动设计更容易，缩短开发周期，因此可以用于300V 至1000V输入的反激式拓扑中。