AI、IoT等技术推动消费电子和大规模数据中心的快速发展，市场对存储的需求呈现白热化的趋势。尤其在IoT领域，产品的功耗和尺寸一直是行业不断寻求突破的方向。对于存储器而言，低功耗、小体积、高运行速度等关键特性也逐渐成为打入IoT应用的必要条件。

万物互联时代，数据流源源不断；同时，算力的提升推动了计算结构的变化——从过去的端到云，变成了现在的云到端。这一过程中，不仅要求物联网设备拥有网络连接能力，还需要一些基础的计算能力、即主芯片的算力，这也意味着端侧的算法更庞大、更复杂，存储算法代码的存储器容量也随之增加。

全新的先进逻辑芯片布线工艺技术，可微缩到3纳米及以下技术节点。

应用材料公司全新的Endura® Copper Barrier Seed IMS™解决方案在高真空条件下将七种不同工艺技术集成到了一个系统中，从而使芯片性能和功耗得到改善。

虽然晶体管尺寸缩小能够使其性能提升，但这对互连布线中的影响却恰恰相反：互连线越细，电阻越大，导致性能降低和功耗增加。从7纳米节点到3纳米节点，如果没有材料工程技术上的突破，互连通孔电阻将增加10倍，抵消了晶体管缩小的优势。

逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破，表明公司光刻胶产品已具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求。

受该利好消息影响，今天南大光电股价开盘大涨，截至收盘股价上涨11.17%，收于35.19元/股。

资料显示，随着芯片跨入纳米级，半导体光刻胶的波长也在不断缩短，已经由紫外宽谱逐步发展到g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、ArF Immersion 浸润式，以及最先进的EUV（<13.5nm）线水平。

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