新型1.1瓦单声道无滤波器D类音频功率放大器。当每次将CCPR1L中的数据再载入CCPR1H时，RC2/CCP1输出高电平；当定时/计数器TMR2的计数值等于CCPR1H的值时，RC2/CCP1输出低电平，产生脉宽。

同TPA200xDx系列的其它产品相似，TPA2005D1无需输出滤波器，但效率却高达85%以上，有助于延长电池寿命。

该方案包含4个元器件：一块集成电路(IC)、两个电阻和一个电容。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 7.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 70 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 14 ns

正向跨导 - 最小值: 65 S

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 35 ns

系列: OptiMOS 3

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 46 ns

典型接通延迟时间: 25 ns

宽度: 9.25 mm

零件号别名: IPB72N15N3GXT SP000386664 IPB072N15N3GATMA1

单位重量: 4 g

主要特性有：

USB 1.1控制器，它能使个人计算机和外设进行高速通信。

LCD控制器，支持高质量超级扭曲向列(STN)和薄膜晶体管(TFT)，256和4096种色彩。

同步动态随机存储器(SDRAM)和NAND闪存的控制器。

完全和东芝的16位微处理器TLCS-900/L, TLCS-900/L1 and TLCS-900/H核兼容。

C编译器能有效地编码。

开发环境支持东芝实时仿真器15和25型控制器。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）