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集成的IDE模块实现超高速数据传输中的安全性沉电流能力6A

发布时间:2021/11/6 18:03:24 访问次数:104

MAX77840 能提供高达1.5A OTG电流和有所有权MAXOTG保护,它限制OTG输出电流,以防止系统电压在重OTG负载下的崩溃.

主要用在工业PC,手持医疗设备,移动POS设备,无线扬声器,智能家庭自动化和传感器,物联网(IoT).通过集成的IDE模块实现超高速数据传输中的安全性,帮助数据中心基础设施实现无与伦比的性能.

为CXL.mem和CXL.cache协议提供零延迟数据加密功能,与Rambus CXL 2.0 PHY集成,构建完整的CXL互连子系统.

产品种类: 电源开关 IC - 配电

RoHS: 详细信息

类型: High Side

输出端数量: 1 Output

输出电流: 1.8 A

电流限制: 5 A

导通电阻—最大值: 220 mOhms

运行时间—最大值: 125 us

空闲时间—最大值: 400 us

工作电源电压: 4.7 V to 42 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-5

系列: Classic PROFET

资格: AEC-Q100

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

湿度敏感性: Yes

Pd-功率耗散: 50 W

产品: Power Switches

产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution

工厂包装数量: 1000

子类别: Switch ICs

电源电压-最大: 42 V

电源电压-最小: 4.7 V

商标名: PROFET

零件号别名: BTS410E2 E3062A SP001104816

单位重量: 3 g

NCV51705/D是单路6A高速低边SiC MOSFET驱动器,为了获得最低可能导通损耗,驱动器能向SiC MOSFET器件提供最大可用栅极电压.

通过在开通和关断时提供高峰值电流,开关损耗也是最小化.

器件源电流6A,沉电流能力6A,满足汽车规范AEC−Q100 with Grade 1温度范围.器件内置负电荷泵,可调欠压锁住和去饱和功能. 

器件主要用在驱动SiC MOSFET,工业逆变器,马达驱动以及PFC,AC/DC转换器和DC/DC转换器.


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

MAX77840 能提供高达1.5A OTG电流和有所有权MAXOTG保护,它限制OTG输出电流,以防止系统电压在重OTG负载下的崩溃.

主要用在工业PC,手持医疗设备,移动POS设备,无线扬声器,智能家庭自动化和传感器,物联网(IoT).通过集成的IDE模块实现超高速数据传输中的安全性,帮助数据中心基础设施实现无与伦比的性能.

为CXL.mem和CXL.cache协议提供零延迟数据加密功能,与Rambus CXL 2.0 PHY集成,构建完整的CXL互连子系统.

产品种类: 电源开关 IC - 配电

RoHS: 详细信息

类型: High Side

输出端数量: 1 Output

输出电流: 1.8 A

电流限制: 5 A

导通电阻—最大值: 220 mOhms

运行时间—最大值: 125 us

空闲时间—最大值: 400 us

工作电源电压: 4.7 V to 42 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-5

系列: Classic PROFET

资格: AEC-Q100

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

湿度敏感性: Yes

Pd-功率耗散: 50 W

产品: Power Switches

产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution

工厂包装数量: 1000

子类别: Switch ICs

电源电压-最大: 42 V

电源电压-最小: 4.7 V

商标名: PROFET

零件号别名: BTS410E2 E3062A SP001104816

单位重量: 3 g

NCV51705/D是单路6A高速低边SiC MOSFET驱动器,为了获得最低可能导通损耗,驱动器能向SiC MOSFET器件提供最大可用栅极电压.

通过在开通和关断时提供高峰值电流,开关损耗也是最小化.

器件源电流6A,沉电流能力6A,满足汽车规范AEC−Q100 with Grade 1温度范围.器件内置负电荷泵,可调欠压锁住和去饱和功能. 

器件主要用在驱动SiC MOSFET,工业逆变器,马达驱动以及PFC,AC/DC转换器和DC/DC转换器.


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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