超结超高压MDmesh K6配套的模块适配门极驱动器(MAG)
发布时间:2021/11/1 12:08:23 访问次数:670
双通道100mmx140mm IGBT模块的设计导入，提供耐压在3300V以内的加强绝缘。这种外形紧凑的即插即用型门极驱动器可提高轻轨和可再生能源应用的效率、性能和可靠性。
SCALE-iFlex系统可立即使用，它由一个中央绝缘主控制(IMC)单元和一个配套的模块适配门极驱动器(MAG)组成。
SCALE-iFlex Single门极驱动器的外形经过专门设计,可与IGBT功率模块完美适配,这些IGBT功率模块包括ABB LinPak、Hitachi nHPD2、Infineon xHP2和xHP3、Mitsubishi LV100/HV100以及其他同类产品。
制造商:Nexperia 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:6.3 A Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压:750 mV Qg-栅极电荷:9.9 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.19 W 通道模式:Enhancement 资格:AEC-Q101 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Nexperia 配置:Single 下降时间:22 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:40 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 N-Channel 典型关闭延迟时间:44 ns 典型接通延迟时间:16 ns 零件号别名:934068717215 单位重量:8 mg
STPOWER MDmesh K6 新系列超级结晶体管改进多个关键参数，最大限度减少系统功率损耗，特别适合基于反激式拓扑的照明应用，例如， LED 驱动器、HID 灯，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。
我们已经测评了新的超结超高压 MDmesh K6 系列的样片，并注意到其出色的 Rdson* 面积和总栅极电荷 (Qg) 性能特点，给我们印象深刻。
意法半导体将于 2022 年前推出MDmesh K6 的完整产品组合，将导通电阻RDS(on)范围从 0.22Ω 扩大到 4.5Ω，并增加一系列封装选项，包括 SMD 和通孔外壳。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
双通道100mmx140mm IGBT模块的设计导入，提供耐压在3300V以内的加强绝缘。这种外形紧凑的即插即用型门极驱动器可提高轻轨和可再生能源应用的效率、性能和可靠性。
SCALE-iFlex系统可立即使用，它由一个中央绝缘主控制(IMC)单元和一个配套的模块适配门极驱动器(MAG)组成。
SCALE-iFlex Single门极驱动器的外形经过专门设计,可与IGBT功率模块完美适配,这些IGBT功率模块包括ABB LinPak、Hitachi nHPD2、Infineon xHP2和xHP3、Mitsubishi LV100/HV100以及其他同类产品。
制造商:Nexperia 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:6.3 A Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压:750 mV Qg-栅极电荷:9.9 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.19 W 通道模式:Enhancement 资格:AEC-Q101 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Nexperia 配置:Single 下降时间:22 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:40 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 N-Channel 典型关闭延迟时间:44 ns 典型接通延迟时间:16 ns 零件号别名:934068717215 单位重量:8 mg
STPOWER MDmesh K6 新系列超级结晶体管改进多个关键参数，最大限度减少系统功率损耗，特别适合基于反激式拓扑的照明应用，例如， LED 驱动器、HID 灯，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。
我们已经测评了新的超结超高压 MDmesh K6 系列的样片，并注意到其出色的 Rdson* 面积和总栅极电荷 (Qg) 性能特点，给我们印象深刻。
意法半导体将于 2022 年前推出MDmesh K6 的完整产品组合，将导通电阻RDS(on)范围从 0.22Ω 扩大到 4.5Ω，并增加一系列封装选项，包括 SMD 和通孔外壳。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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