接近于零反向恢复电流高浪涌保护能力的最大工作结温
发布时间:2021/10/15 19:48:13 访问次数:858
碳化硅(SiC)二极管产品组合进行扩充,新增1700V级产品,LittelfuseLSIC2SD170Bxx系列碳化硅肖特基二极管.
LSIC2SD170Bxx 系列碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装,可选择额定电流(10A、25A或50A)。这些产品为电力电子系统设计人员提供了多种性能优势,包括接近于零的反向恢复电流、高浪涌保护能力和175°C的最大工作结温,因此它们非常适合需要提高效率、可靠性和简化热管理的应用。
碳化硅肖特基势垒二极管非常适用于工业,能源生产和能源分配/存储的各种AC/DC和DC/DC电源转换器.
产品属性属性值搜索类似制造商:Texas Instruments产品种类:低压差稳压器RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-6输出电压:3.3 V输出电流:400 mA输出端数量:1 Output极性:Positive最大输入电压:5.5 V最小输入电压:1.7 V输出类型:Fixed最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C回动电压:75 mV系列:TPS73633封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Texas Instruments开发套件:TPS73633EVM-066回动电压—最大值:200 mV at 400 mA高度:1.6 mmIb - 输入偏流:300 uA长度:6.5 mm线路调整率:0.01 %/V负载调节:0.002 %/mA湿度敏感性:Yes工作温度范围:- 4Pd-功率耗散:2.22 W产品类型:LDO Voltage Regulators工厂包装数量:2500子类别:PMIC - Power Management ICs电压调节准确度:0.5 %宽度:3.5 mm单位重量:120 mg
总线接口:PCIe 3.0 x4
连接器:USB 3.2 Type-C 10Gbps
存储类型:TLC NAND 闪存颗粒
容量:256BG / 512GB / 1TB
顺序读取:最大 950 MB/s
顺序写入:最大 900 MB/s
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
碳化硅(SiC)二极管产品组合进行扩充,新增1700V级产品,LittelfuseLSIC2SD170Bxx系列碳化硅肖特基二极管.
LSIC2SD170Bxx 系列碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装,可选择额定电流(10A、25A或50A)。这些产品为电力电子系统设计人员提供了多种性能优势,包括接近于零的反向恢复电流、高浪涌保护能力和175°C的最大工作结温,因此它们非常适合需要提高效率、可靠性和简化热管理的应用。
碳化硅肖特基势垒二极管非常适用于工业,能源生产和能源分配/存储的各种AC/DC和DC/DC电源转换器.
产品属性属性值搜索类似制造商:Texas Instruments产品种类:低压差稳压器RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-6输出电压:3.3 V输出电流:400 mA输出端数量:1 Output极性:Positive最大输入电压:5.5 V最小输入电压:1.7 V输出类型:Fixed最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C回动电压:75 mV系列:TPS73633封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Texas Instruments开发套件:TPS73633EVM-066回动电压—最大值:200 mV at 400 mA高度:1.6 mmIb - 输入偏流:300 uA长度:6.5 mm线路调整率:0.01 %/V负载调节:0.002 %/mA湿度敏感性:Yes工作温度范围:- 4Pd-功率耗散:2.22 W产品类型:LDO Voltage Regulators工厂包装数量:2500子类别:PMIC - Power Management ICs电压调节准确度:0.5 %宽度:3.5 mm单位重量:120 mg
总线接口:PCIe 3.0 x4
连接器:USB 3.2 Type-C 10Gbps
存储类型:TLC NAND 闪存颗粒
容量:256BG / 512GB / 1TB
顺序读取:最大 950 MB/s
顺序写入:最大 900 MB/s
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