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mmWave毫米波设备HDMI和SATA中的高速数据信号

发布时间:2021/10/30 22:22:06 访问次数:670

高速端口应用的ESD保护器件阵列CM1213,它的电容只有1pF,是业界第一个有超低电容的器件,能处理USB 2.0,防火墙,DVI,HDMI和SATA信号。和有额定指标3pF到5pF的器件不同,CM1213不会衰减USB 2.0,防火墙,DVI,HDMI和SATA中的高速数据信号。

指标包括8KV的ESD接触保护指标,15KV的空气保护指标,通道到地的差分电容为0.02pF,通道到通道的电容为0.003pF,钳位电压为Vbus+9V(最大为14V)。

有1通道到8通道的型号,封装有SOT-23,SOT-14,SOIC和MSOP几种类型。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 21 A

Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V

Qg-栅极电荷: -

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商标名: SIPMOS

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 90 ns

正向跨导 - 最小值: 6 S

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 70 ns

500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 250 ns

典型接通延迟时间: 30 ns

宽度: 4.4 mm

零件号别名: BUZ30A H SP000682990 BUZ3AHXK

单位重量: 2 g

工业级PCIe Gen 4x4固态硬盘,以双倍容量、双倍带宽及双倍传输速率,将积极导入5G基础设施、mmWave毫米波设备、智能路灯及AIoT人工智能物联网等高阶市场应用。

国际市调机构Fortune Business Insights预测,全球5G基础建设市场规模将在2027年底达到800.6亿美元,于2020至2027年间达到71.0%的年复合成长率,为各式5G及AIoT创新应用奠定坚实基础。

然而除了5G网络带来的高速、低延迟与广链接特性,在存储装置的效能上,也必须突破过往Gen 3.0存储设备所面临的带宽与传输速率瓶颈,才能充分发挥海量数据在实时存取、演算的优势。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

高速端口应用的ESD保护器件阵列CM1213,它的电容只有1pF,是业界第一个有超低电容的器件,能处理USB 2.0,防火墙,DVI,HDMI和SATA信号。和有额定指标3pF到5pF的器件不同,CM1213不会衰减USB 2.0,防火墙,DVI,HDMI和SATA中的高速数据信号。

指标包括8KV的ESD接触保护指标,15KV的空气保护指标,通道到地的差分电容为0.02pF,通道到通道的电容为0.003pF,钳位电压为Vbus+9V(最大为14V)。

有1通道到8通道的型号,封装有SOT-23,SOT-14,SOIC和MSOP几种类型。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 21 A

Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V

Qg-栅极电荷: -

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商标名: SIPMOS

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 90 ns

正向跨导 - 最小值: 6 S

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 70 ns

500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 250 ns

典型接通延迟时间: 30 ns

宽度: 4.4 mm

零件号别名: BUZ30A H SP000682990 BUZ3AHXK

单位重量: 2 g

工业级PCIe Gen 4x4固态硬盘,以双倍容量、双倍带宽及双倍传输速率,将积极导入5G基础设施、mmWave毫米波设备、智能路灯及AIoT人工智能物联网等高阶市场应用。

国际市调机构Fortune Business Insights预测,全球5G基础建设市场规模将在2027年底达到800.6亿美元,于2020至2027年间达到71.0%的年复合成长率,为各式5G及AIoT创新应用奠定坚实基础。

然而除了5G网络带来的高速、低延迟与广链接特性,在存储装置的效能上,也必须突破过往Gen 3.0存储设备所面临的带宽与传输速率瓶颈,才能充分发挥海量数据在实时存取、演算的优势。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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