新型GB4xxx-LP单端口千兆以太网磁性模块。这种用于10/100/1000千兆应用的超薄结构单通道界面，其厚度不足2.5毫米，是目前市场上首创的产品。

GB4xxx-LP产品有管式或卷带式两种包装，以满足大批量生产的需要。

该产品可以有利于更微小的移动设备的设计，例如笔记本电脑、薄型PC机、PCMCIA卡、航天对接站和其他薄型以太网设备。

GB4xxx-LP的超薄结构和精密设计，有助于设计者朝更小更薄的产品设计方向迈进"。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 4.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 130 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 30 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 31 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 59 ns

典型接通延迟时间: 21 ns

零件号别名: SP000218874 IPB100N06S205ATMA1

单位重量: 4 g

HAR 39xy传感器使用铁氧体双极磁铁进行高达360°的角度测量，同时还能使用双极条状磁铁进行高达35毫米的线性测量。

每个HAR 39xy传感器包含两个相互重叠的独立芯片，二者机械分离且电气绝缘。

两个芯片测量几乎相同的磁场，从而确保同步输出信号。单一封装的冗余传感器解决方案的优点是减小PCB尺寸和减少焊点，从而降低系统成本并增强系统的稳定性。

HAR 3900和HAR 3930采用小型SSOP16封装。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）