晶体管的速度主要由电子通过晶体管的快慢来决定。这取决于制造晶体管的半导体材料和电子必须通过的距离。绝大多数标准晶体管所用的材料是硅。

1989年，IBM在硅中掺入锗，加快电子的流动，改善了性能和降低了功耗。

IBM把SiGe材料和改进的晶体管设计结合起来，能缩短电子的通路，提高器件的速度，得到了新的结果。在标准的CMOS晶体管，电子是水平移动的，缩短通路需要把晶体管做得更窄。

由于需要新的制造工具，这又增加了难度和成本。

制造商:Vishay 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:Schottky Diodes 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DO-201AD-2 配置:Single 技术:Si If - 正向电流:3 A Vrrm - 重复反向电压:40 V Vf - 正向电压:490 mV Ifsm - 正向浪涌电流:120 A Ir - 反向电流 :500 uA 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 125 C 封装:Ammo Pack 高度:5.3 mm 长度:9.5 mm 类型:Schottky Diode 宽度:5.3 mm 商标:Vishay General Semiconductor 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers 工厂包装数量7500 子类别:Diodes & Rectifiers 零件号别名:MBR340 单位重量:1.100 g

功率是由48V DC电源中心提供，通过LPT-11链接功率接口模块耦合到网络线。

LPT-11收发器集成了开关电源，它能提供5VDC给神经元芯片，应用电子学，传感器，激励器和显示器加电。每个收发器能提供5VDC 100mA。

实现了与标准产品相当的低电阻，树脂层仅覆盖端子电极的一部分.

新3216尺寸产品（3.2 x 1.6 x 1.6 ㎜）的电容为10 μF，3225尺寸（3.2 x 2.5 x 2.5 ㎜）的电容为22 ㎌，提供了低电阻树脂电极，具有与标准产品相当的低端子电阻。

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