齐纳二极管保护栅使静电放电(ESD)保护超过工业上的要求
发布时间:2021/10/9 12:29:52 访问次数:250
R&S VSESIM-VSS信号创建和分析工具，支持所有主要标准，如5G以及最新的Wi-Fi演进等。
这套联合解决方案将信号生成、设计仿真和信号分析结合在一起，充分发挥两家公司广受欢迎的成熟解决方案的优势。
因此，开发和设计工程师得到一套经过优化的工具，帮助他们在开发过程中更早地解决设计难题。
R&S公司的 R&S VSESIM-VSS 经过专门设计，通过在信号链路中加入实际信号，从而扩展 VSS 软件的功能，提高仿真精度并简化设计流程。
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
封装: Reel
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
子类别: MOSFETs
单位重量: 4 g
虽然Micro-8LL封装更小，但是不影响性能。齐纳二极管保护栅使静电放电(ESD)保护超过工业上的要求。栅二极管集成到FET，电路中不用另接分立的背对背齐纳二极管。
特别要提的是，该器件能经受住4000V人体模拟(HBM)电压，非常适合用在手持产品中。
为了消除开关操作造成的屏幕噪声,FS8S0765RC会根据外部同步信号控制其内部MOSFET的开通时间。
FS8S0765RC电源开关还拥有集成的固定频率振荡器、低电压锁住、优化的前沿屏蔽功能和栅极开/关驱动电路，以及用于环路补偿和故障保护电路的具有精确的温度补偿的电流源。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
R&S VSESIM-VSS信号创建和分析工具，支持所有主要标准，如5G以及最新的Wi-Fi演进等。
这套联合解决方案将信号生成、设计仿真和信号分析结合在一起，充分发挥两家公司广受欢迎的成熟解决方案的优势。
因此，开发和设计工程师得到一套经过优化的工具，帮助他们在开发过程中更早地解决设计难题。
R&S公司的 R&S VSESIM-VSS 经过专门设计，通过在信号链路中加入实际信号，从而扩展 VSS 软件的功能，提高仿真精度并简化设计流程。
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
封装: Reel
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
子类别: MOSFETs
单位重量: 4 g
虽然Micro-8LL封装更小，但是不影响性能。齐纳二极管保护栅使静电放电(ESD)保护超过工业上的要求。栅二极管集成到FET，电路中不用另接分立的背对背齐纳二极管。
特别要提的是，该器件能经受住4000V人体模拟(HBM)电压，非常适合用在手持产品中。
为了消除开关操作造成的屏幕噪声,FS8S0765RC会根据外部同步信号控制其内部MOSFET的开通时间。
FS8S0765RC电源开关还拥有集成的固定频率振荡器、低电压锁住、优化的前沿屏蔽功能和栅极开/关驱动电路，以及用于环路补偿和故障保护电路的具有精确的温度补偿的电流源。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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