SiC FET的集成体二极管在恢复速度和正向压降方面优于竞争对手的Si MOSFET或SiC MOSFET技术。

第4代技术中所包含的其他优势，则是通过先进的晶圆减薄技术和银烧结贴片工艺降低了从裸片到外壳的热阻。

UnitedSiC第4代SiC FET无疑是竞争技术中的性能领导者，并为宽禁带开关技术树立了新的标杆。新增的产品系列现在为所有的性能和预算规格以及更广泛的应用提供了更多选择。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:交流/直流转换器 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DIP-7 输出电压:800 V 输出功率:18 W 输入/电源电压—最小值:11.5 V 输入/电源电压—最大值:23.5 V 开关频率:60 kHz 占空比 - 最大:80 % 工作电源电流:2.5 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 150 C 封装:Tube 商标:STMicroelectronics 输出端数量:1 Output 产品类型:AC/DC Converters 工厂包装数量2000 子类别:PMIC - Power Management ICs 类型:Fixed Frequency 单位重量:851 mg

传感器阵列数量可以设置，在16区(4x4)模式下,传感器测距速度高达每秒 60 帧，实现快速测距模式。

只需用软件简单配置一下即可达到 8x8 区高分辨率，VL53L5CX 还有助于校正视频投影仪梯形畸变,并为增强现实和虚拟现实 (AR/VR) 应用提供精确的微型的深度图解决方案。

VL53L5CX 集成低功耗微控制器，能够智能测距，节省电能，在6.4mm x 3.0mm x 1.5mm 模块内集成测距所需全部元件，包括VCSEL(垂直腔表面发射激光器)红外发射器和接收器，其中接收器内置 SPAD(单光子雪崩二极管)和基于直方图的ToF处理引擎。

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