高边嵌入栅极驱动器能很容易由集成的阴极负载二极管供电
发布时间:2021/9/10 17:52:37 访问次数:847
MASTERGAN4是先进功率系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管.集成的功率GaN有650V漏极-源极阻断电压,RDS(ON) 为225 mΩ.
而高边嵌入栅极驱动器能很容易由集成的阴极负载二极管供电.MASTERGAN4在低和高边驱动部分具有UVLO保护,从而防止功率开关工作在低效率或危险条件,其互锁功能避免了交叉导通出现.
输入引脚的扩展范围允许容易和MCU,DSP单元和霍尔效应传感器接口.MASTERGAN4的工作温度为-40C 到125C,采用紧凑的9x9 mm QFN封装.
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:Schottky Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerDI5-3 配置:Single Dual Anode 技术:Si If - 正向电流:3 A Vrrm - 重复反向电压:200 V Vf - 正向电压:880 mV Ifsm - 正向浪涌电流:180 A Ir - 反向电流 :10 uA 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Diodes Incorporated 高度:1.15 mm 长度:4.05 mm 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers 工厂包装数量5000 子类别:Diodes & Rectifiers 端接类型:Through Hole 类型:Schottky Barrier Rectifier 宽度:5.45 mm 单位重量:96 mg
完全集成的TMC6140-LA 3相MOSFET栅极驱动器，有效简化无刷直流(DC)电机驱动设计，并最大程度地延长电池寿命。
TMC6140-LA 3相MOSFET栅极驱动器为每相集成了低边检流放大器，构成完备的电机驱动方案；与同类产品相比元件数量减半，且电源效率提高30%，大幅简化设计。
如果负载进一步降低，MPX2002 将在跳频（PFM）模式下工作。
(素材来源：eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
MASTERGAN4是先进功率系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管.集成的功率GaN有650V漏极-源极阻断电压,RDS(ON) 为225 mΩ.
而高边嵌入栅极驱动器能很容易由集成的阴极负载二极管供电.MASTERGAN4在低和高边驱动部分具有UVLO保护,从而防止功率开关工作在低效率或危险条件,其互锁功能避免了交叉导通出现.
输入引脚的扩展范围允许容易和MCU,DSP单元和霍尔效应传感器接口.MASTERGAN4的工作温度为-40C 到125C,采用紧凑的9x9 mm QFN封装.
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:Schottky Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerDI5-3 配置:Single Dual Anode 技术:Si If - 正向电流:3 A Vrrm - 重复反向电压:200 V Vf - 正向电压:880 mV Ifsm - 正向浪涌电流:180 A Ir - 反向电流 :10 uA 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Diodes Incorporated 高度:1.15 mm 长度:4.05 mm 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers 工厂包装数量5000 子类别:Diodes & Rectifiers 端接类型:Through Hole 类型:Schottky Barrier Rectifier 宽度:5.45 mm 单位重量:96 mg
完全集成的TMC6140-LA 3相MOSFET栅极驱动器，有效简化无刷直流(DC)电机驱动设计，并最大程度地延长电池寿命。
TMC6140-LA 3相MOSFET栅极驱动器为每相集成了低边检流放大器，构成完备的电机驱动方案；与同类产品相比元件数量减半，且电源效率提高30%，大幅简化设计。
如果负载进一步降低，M2002 将在跳频（PFM）模式下工作。
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