双向充电桩相位交织策略和灵活点火顺序以改善热性能
发布时间:2021/8/30 8:45:39 访问次数:1639
TPS53676是双路降压控制器,内置了非易失存储器(NVM)和PMBus™兼容的串行接口,完全和TI公司的NexFET™智能功率级.
L6981CDR是容易使用的同步单片降压稳压器,能够对负载提供高达1.5A DC.
器件先进的控制特性如D-CAP+™架构提供了快速瞬态响应,低输出电容和良好的电流共享.器件还提供一种新颖相位交织策略和灵活点火顺序以改善热性能.
器件输入电压为4.5V到17V,输出电压范围为0.25V到5.5V,每相开关频率范围为300 kHz 到2000 kHz.
制造商:TT Electronics产品种类:微调电阻 - 通孔系列:端接类型:PC Pin产品:Multiturn转数:12调整:Side Slot功率额定值:250 mW (1/4 W)电压额定值:200 V容差:10 %温度系数:100 PPM / C方向:Horizontal Adjustment类型:Trimmers商标:BI Technologies / TT Electronics安装风格:PCB Mount元件类型:Cermet产品类型:Trimmer Resistors50子类别:Potentiometers, Trimmers & Rheostats锥度:Linear单位重量:400 mg
高耐压1200V 碳化硅MOS来削减部件个数。通过将1200V 碳化硅MOS应用于LLC部分，可以将Stack型的LLC电路变更为下述Single型。
具备高耐压、高速开关特点的碳化硅器件给Single LLC带来以下优点：
减少功率器件数量，节省空间，简化电路，降低故障率；
减少控制元件数量，简化驱动电路，减少MCU使用数、减少端口数。
罗姆针对双向充电桩的三相B6-PFC拓扑的方案使用1200V 碳化硅MOS.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
TPS53676是双路降压控制器,内置了非易失存储器(NVM)和PMBus™兼容的串行接口,完全和TI公司的NexFET™智能功率级.
L6981CDR是容易使用的同步单片降压稳压器,能够对负载提供高达1.5A DC.
器件先进的控制特性如D-CAP+™架构提供了快速瞬态响应,低输出电容和良好的电流共享.器件还提供一种新颖相位交织策略和灵活点火顺序以改善热性能.
器件输入电压为4.5V到17V,输出电压范围为0.25V到5.5V,每相开关频率范围为300 kHz 到2000 kHz.
制造商:TT Electronics产品种类:微调电阻 - 通孔系列:端接类型:PC Pin产品:Multiturn转数:12调整:Side Slot功率额定值:250 mW (1/4 W)电压额定值:200 V容差:10 %温度系数:100 PPM / C方向:Horizontal Adjustment类型:Trimmers商标:BI Technologies / TT Electronics安装风格:PCB Mount元件类型:Cermet产品类型:Trimmer Resistors50子类别:Potentiometers, Trimmers & Rheostats锥度:Linear单位重量:400 mg
高耐压1200V 碳化硅MOS来削减部件个数。通过将1200V 碳化硅MOS应用于LLC部分，可以将Stack型的LLC电路变更为下述Single型。
具备高耐压、高速开关特点的碳化硅器件给Single LLC带来以下优点：
减少功率器件数量，节省空间，简化电路，降低故障率；
减少控制元件数量，简化驱动电路，减少MCU使用数、减少端口数。
罗姆针对双向充电桩的三相B6-PFC拓扑的方案使用1200V 碳化硅MOS.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢） 
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