随着工业和医疗健康IoT应用的增长，对增强电池寿命管理、提高测量精度的需求也不断增长，以满足低功耗和设备工作有效性的要求。

HVC 4222F和HVC 4422F属于基于Arm® M3 的电机驱动器，具有 32k 和 64k 两种闪存.

这三款器件是我们基础模拟产品中的佼佼者。Maxim的使命是不断为工程师提供实际测量和连接模拟世界所需的最佳产品。

这些方案具有优异的测量精度和超低功耗，能够满足最苛刻的传感器应用需求。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: N

技术: GaN

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-5

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 13 A

Rds On-漏源导通电阻: 13 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 170 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

配置: Single

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

系列: BTS244

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 25 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 70 ns

工厂包装数量: 500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 40 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

零件号别名: SP000012177 BTS244ZNKSA1

单位重量: 2 g

电表评估板采用低成本的抗电分流传感器和先进的电流隔离技术实现出色的可靠性和鲁棒性，加快三相交流电能表设计，满足国际上最严格的电能表质量和精度标准。

EVALSTPM-3PHISO评估板集成高精度STPMS2计量前端IC和先进的STISO621数字隔离器，以及在STM32微控制器上运行的用于计算计量数据和电能质量数据的可定制的统包固件。

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