充电桩的功率已高达120KW到180KW。同样，5G领域也很讲求功率的高效性，5G基站单站满载功率近3700W，约为4G基站的2.5~3.5倍，电费亦会随之攀升至3G、4G的4~5倍之大。

功率MOSFET中TO-247封装是充电机、充电桩和基站高功率电源模块应用中最通用的封装形式。

针对超低内阻高压MOS产品需求，在常规TO-247封装不能满足情况下，电源工程师往往会使用诸如TO-247MAX,、TO-3P(L) 、TO-264、PLUS TO-247等超大体积封装来代替。

这种超大封装不仅不通用，且成本较高。

制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1 kVId-连续漏极电流:3.1 ARds On-漏源导通电阻:5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:4 VQg-栅极电荷:80 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:125 W通道模式:Enhancement封装:Tube配置:Single系列:晶体管类型:1 N-Channel商标:Vishay Semiconductors下降时间:29 ns产品类型:MOSFET上升时间:25 ns1000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:89 ns典型接通延迟时间:12 ns零件号别名:IRFBG30PBF-BE3单位重量:2 g

集成使用了SensiML的原始传感器数据收集接口，我们在Silicon Labs提供的可用固件中称为简单的流接口，允许在Thunderboard和SensiML数据捕获实验室之间直接连接。

默认的固件构建支持集成的6轴运动传感器的流媒体，提供加速度计和陀螺传感器数据，以及音频传感器从车载数字麦克风流媒体。

用户还可以随时修改和扩展简单的流接口和默认固件，以适应自定义硬件和传感器配置以及安装在Thunderboard PCB上的额外可用传感器。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）