低阻值的分流电阻器简化200W的高能效电源变换应用的设计
发布时间:2021/8/7 8:46:49 访问次数:201
MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。
作为意法半导体MasterGaN系列的最新产品，MasterGaN4解决了复杂的栅极控制和电路布局难题，简化了宽带隙GaN功率半导体的应用设计。
MasterGaN4的输入容许电压为3.3V-15V，可以直接连接到控制器，例如，霍尔效应传感器或微控制器、DSP处理器、FPGA可编程器件等CMOS芯片。
ROHM新开发出大功率、低阻值的分流电阻器“GMR320”。此外，通过扩展大功率、超低阻值分流电阻器“PSR系列”的额定功率保证值，使产品阵容涵盖了最高达15W的大功率范围。
这两个系列均符合无源元器件的汽车电子产品可靠性标准AEC-Q200※2，并且均支持在最高170℃的工作温度下使用，因此即使在引擎周围等温度条件格外严苛的车载应用中，也具有非常高的可靠性。
例如，当在7W条件下使用5mΩ产品时，普通产品的表面温升达到154.3℃，而新产品的表面温升仅为117.8℃，减少23％。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。
作为意法半导体MasterGaN系列的最新产品，MasterGaN4解决了复杂的栅极控制和电路布局难题，简化了宽带隙GaN功率半导体的应用设计。
MasterGaN4的输入容许电压为3.3V-15V，可以直接连接到控制器，例如，霍尔效应传感器或微控制器、DSP处理器、FPGA可编程器件等CMOS芯片。
ROHM新开发出大功率、低阻值的分流电阻器“GMR320”。此外，通过扩展大功率、超低阻值分流电阻器“PSR系列”的额定功率保证值，使产品阵容涵盖了最高达15W的大功率范围。
这两个系列均符合无源元器件的汽车电子产品可靠性标准AEC-Q200※2，并且均支持在最高170℃的工作温度下使用，因此即使在引擎周围等温度条件格外严苛的车载应用中，也具有非常高的可靠性。
例如，当在7W条件下使用5mΩ产品时，普通产品的表面温升达到154.3℃，而新产品的表面温升仅为117.8℃，减少23％。
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