65nm浮栅闪存工艺技术器件耐久性达到1000次编程/擦除周期
发布时间:2021/8/1 15:06:40 访问次数:339
抗辐射性能高达30krad（Si）偏置和125krad（Si）无偏置。
在125°C时，这款器件耐久性达到1000次编程/擦除周期，数据保留期限为30年，在85°C时可达到1万次编程/擦除周期，数据保留期限为250年。
65 nm浮栅闪存工艺技术开发出RadTol 256 Mb Quad SPI（QSPI）和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。二者都具有133 MHz SDR接口速度。
512Mb器件包括两个独立的256Mb裸片,它们采用单个封装解决方案并排装配。
制造商:Texas Instruments产品种类:电流和电力监控器、调节器RoHS: 产品:Current Monitors感应方式:High Side电源电压-最大:36 V电源电压-最小:2.7 V工作电源电流:60 uA准确性:0.5 %最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-5封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel带宽:800 kHz特点:Analog Output系列:商标:Texas Instruments增益:1 V/V to 100 V/V输入电压范围:2.7 V to 36 VIb - 输入偏流:2 uA湿度敏感性:Yes工作电源电压:2.7 V to 36 V产品类型:Current & Power Monitors & Regulators3000子类别:PMIC - Power Management ICsVos - 输入偏置电压 :1 mV单位重量:770 mg
作为航天级存储器产品的领导者，英飞凌利用65 nm浮栅闪存工艺技术开发出RadTol 256 Mb Quad SPI（QSPI）和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。
133MHz SDR接口速度,512Mb器件包括两个独立的256Mb裸片,它们采用单个封装解决方案并排装配。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
抗辐射性能高达30krad（Si）偏置和125krad（Si）无偏置。
在125°C时，这款器件耐久性达到1000次编程/擦除周期，数据保留期限为30年，在85°C时可达到1万次编程/擦除周期，数据保留期限为250年。
65 nm浮栅闪存工艺技术开发出RadTol 256 Mb Quad SPI（QSPI）和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。二者都具有133 MHz SDR接口速度。
512Mb器件包括两个独立的256Mb裸片,它们采用单个封装解决方案并排装配。
制造商:Texas Instruments产品种类:电流和电力监控器、调节器RoHS: 产品:Current Monitors感应方式:High Side电源电压-最大:36 V电源电压-最小:2.7 V工作电源电流:60 uA准确性:0.5 %最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-5封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel带宽:800 kHz特点:Analog Output系列:商标:Texas Instruments增益:1 V/V to 100 V/V输入电压范围:2.7 V to 36 VIb - 输入偏流:2 uA湿度敏感性:Yes工作电源电压:2.7 V to 36 V产品类型:Current & Power Monitors & Regulators3000子类别:PMIC - Power Management ICsVos - 输入偏置电压 :1 mV单位重量:770 mg
作为航天级存储器产品的领导者，英飞凌利用65 nm浮栅闪存工艺技术开发出RadTol 256 Mb Quad SPI（QSPI）和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。
133MHz SDR接口速度,512Mb器件包括两个独立的256Mb裸片,它们采用单个封装解决方案并排装配。
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