STISO621直流链路应用开发了模块化且通用的电力电容器
发布时间:2021/8/6 8:21:26 访问次数:193
EVALSTPM-3PHISO一个专门为三相隔离电表系统用例制作的参考设计。
具有1200Vpeak的最大工作隔离电压(VIOWM)和高冲击耐受电压(VIOTM)，STISO621电流隔离功能不随时间变化，在任何系统故障期间，保持电流隔离功能的完整性。
有两款封装可选，STISO621采用4mm爬电距离和电气间隙的SO8窄体封装，VIOTM 电压为4800V。STISO621W采用爬电距离和间隙为8mm的SO8宽体封装，VIOTM为6000V。
在-40°C到125°C的温度范围皆可保证其高性能。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 80 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 190 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 28 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 29 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 39 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: IPB80N06S2-09 SP001061716
单位重量: 4 g
TDK专为直流链路应用开发了模块化且通用的电力电容器概念。该系列电容器结合新一代的IGBT模块，有望快速为牵引、可再生能源和工业应用带来紧凑型逆变器。
市场对逆变器和所需直流链路电容器的要求日益严格，其中包括以紧凑尺寸提供高能量密度、控制快速开关操作、大电流能力、高工作温度、与IGBT模块的机械兼容性，以及长使用寿命。
ModCap采用并联的扁平绕组结构设计，并填充聚氨酯树脂。这种设计使其能尽可能靠近 IGBT 模块安装，最大限度缩短了引线。
EVALSTPM-3PHISO一个专门为三相隔离电表系统用例制作的参考设计。
具有1200Vpeak的最大工作隔离电压(VIOWM)和高冲击耐受电压(VIOTM)，STISO621电流隔离功能不随时间变化，在任何系统故障期间，保持电流隔离功能的完整性。
有两款封装可选，STISO621采用4mm爬电距离和电气间隙的SO8窄体封装，VIOTM 电压为4800V。STISO621W采用爬电距离和间隙为8mm的SO8宽体封装，VIOTM为6000V。
在-40°C到125°C的温度范围皆可保证其高性能。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 80 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 190 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 28 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 29 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 39 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: IPB80N06S2-09 SP001061716
单位重量: 4 g
TDK专为直流链路应用开发了模块化且通用的电力电容器概念。该系列电容器结合新一代的IGBT模块，有望快速为牵引、可再生能源和工业应用带来紧凑型逆变器。
市场对逆变器和所需直流链路电容器的要求日益严格，其中包括以紧凑尺寸提供高能量密度、控制快速开关操作、大电流能力、高工作温度、与IGBT模块的机械兼容性，以及长使用寿命。
ModCap采用并联的扁平绕组结构设计，并填充聚氨酯树脂。这种设计使其能尽可能靠近 IGBT 模块安装，最大限度缩短了引线。
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