在不同的峰值脉冲电流条件下，两款新元件的端接电压也不相同：当峰值脉冲电流为8 A时，钳位电压为7.2 V；当峰值脉冲电流为16 A时，端接电压为8 V。

不同类型的新元件可提供不同的寄生电容，其中SD0201SL-GP101型的寄生电容为12 pF，而SD01005SL-GP101型的寄生电容为5 pF。

此外，新元件还具有其他特点和优势，比如响应时间短，漏电流低（仅2 nA@3.3 V）。

新型保护元件的设计满足IEC 61000-4-2标准，其ESD接触放电电压可达24 kV，大幅领先于标准要求。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TO-263-3-2

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 800 V

Id-连续漏极电流: 17 A

Rds On-漏源导通电阻: 670 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 88 nC

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 227 W

资格: AEC-Q101

商标名: CoolMOS

封装: Cut Tape

封装: Reel

系列: CoolMOS C3A

商标: Infineon Technologies

下降时间: 12 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 15 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 72 ns

典型接通延迟时间: 25 ns

零件号别名: IPB80R290C3A SP002890376

单位重量: 324 mg

共提供三种类型的封装： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用双列直插式封装TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用绝缘型直插式封装TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用贴片式封装DPAK。

此外，它们继承了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性。这降低了漏源导通电阻x栅极开关电荷的值（开关应用的品质因数）。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）