RV1S92xxA产品功率密度相比传统D2PAK器件提高50倍以上
发布时间:2021/8/3 13:16:22 访问次数:614
瑞萨现已定义并建立能充分发挥RV1S92xxA系列产品价值,适用于多种应用的系统架构。
搭载RV1S92xxA系列产品的新型交流变频器/GP 逆变器解决方案，可帮助客户缩小其符合UL61800-5-1标准的工业设备和逆变器系统的尺寸。
全新RV1S9231A 2.5A输出和RV1S9207A 0.6A输出IGBT驱动器，以及RV1S9209A有源高输出IPM驱动器均采用薄型LSSO5封装，引脚间距为0.65mm，提供5000Vrms隔离电压，支持高达125°C高温，以承受恶劣工作环境。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:整流器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SMA Vr - 反向电压 :200 V If - 正向电流:1 A 类型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向电压:920 mV 最大浪涌电流:30 A Ir - 反向电流 :5 uA 恢复时间:25 ns 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:2.1 mm 长度:4.6 mm 产品:Rectifiers 端接类型:SMD/SMT 宽度:2.92 mm 商标:Diodes Incorporated Pd-功率耗散:- 产品类型:Rectifiers 工厂包装数量5000 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:64 mg
高可靠性LFPAK88封装，适用于汽车(BUK7S0R5-40H)和工业(PSMNR55-40SSH)应用。
这些器件是Nexperia所生产的RDS(on) 值最低的40 V器件，它们提供的功率密度相比传统D2PAK器件提高了50倍以上。
此外，这些新型器件还可在雪崩和线性模式下提供更高的性能，从而提高了耐用性和可靠性。
新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET将最新的高性能超结硅技术与成熟的LFPAK铜夹片技术相结合，后者因提供显著的电气性能和热性能而著称。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
瑞萨现已定义并建立能充分发挥RV1S92xxA系列产品价值,适用于多种应用的系统架构。
搭载RV1S92xxA系列产品的新型交流变频器/GP 逆变器解决方案，可帮助客户缩小其符合UL61800-5-1标准的工业设备和逆变器系统的尺寸。
全新RV1S9231A 2.5A输出和RV1S9207A 0.6A输出IGBT驱动器，以及RV1S9209A有源高输出IPM驱动器均采用薄型LSSO5封装，引脚间距为0.65mm，提供5000Vrms隔离电压，支持高达125°C高温，以承受恶劣工作环境。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:整流器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SMA Vr - 反向电压 :200 V If - 正向电流:1 A 类型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向电压:920 mV 最大浪涌电流:30 A Ir - 反向电流 :5 uA 恢复时间:25 ns 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:2.1 mm 长度:4.6 mm 产品:Rectifiers 端接类型:SMD/SMT 宽度:2.92 mm 商标:Diodes Incorporated Pd-功率耗散:- 产品类型:Rectifiers 工厂包装数量5000 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:64 mg
高可靠性LFPAK88封装，适用于汽车(BUK7S0R5-40H)和工业(PSMNR55-40SSH)应用。
这些器件是Nexperia所生产的RDS(on) 值最低的40 V器件，它们提供的功率密度相比传统D2PAK器件提高了50倍以上。
此外，这些新型器件还可在雪崩和线性模式下提供更高的性能，从而提高了耐用性和可靠性。
新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET将最新的高性能超结硅技术与成熟的LFPAK铜夹片技术相结合，后者因提供显著的电气性能和热性能而著称。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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