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氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路性能比硅功率MOSFET器件高出很多倍

发布时间:2021/8/2 23:23:53 访问次数:513

使用nRF52和nRF53系列SoC设计并使用可充电Li-ion/Li-Po电池的低功耗蓝牙(Bluetooth® Low Energy (Bluetooth LE))应用可以利用nPM1100的电池充电器,而绕过SoC的第一稳压器级。

另外,在此配置中使用时,nPM1100降压稳压器的高效率可以降低整体系统功耗,而其150mA的电流能力将可用于其他系统组件的电流从大约10mA增加到100mA。

nPM1100具有700nA(典型值)超低静态电流 (IQ),在“运输模式”(ship mode)下可以进一步降低至470nA。

制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:600 V Id-连续漏极电流:47 A Rds On-漏源导通电阻:64 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压:4 V Qg-栅极电荷:148 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:357 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 配置:Single 商标:Vishay / Siliconix 下降时间:82 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:72 ns 工厂包装数量500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:93 ns 典型接通延迟时间:28 ns 单位重量:6 g

EPC9149发货时随附主板以简化测试。增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商,氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目标应用包括直流- 直流转换器、激光雷达(LiDAR)、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器,以及低成本卫星等应用。

RSL10智能拍摄相机平台使工程师能构建超低功耗、小尺寸、带事件触发的机器视觉摄像头,适用于资产管理、智能建筑、工业自动化、智能农业等领域。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

使用nRF52和nRF53系列SoC设计并使用可充电Li-ion/Li-Po电池的低功耗蓝牙(Bluetooth® Low Energy (Bluetooth LE))应用可以利用nPM1100的电池充电器,而绕过SoC的第一稳压器级。

另外,在此配置中使用时,nPM1100降压稳压器的高效率可以降低整体系统功耗,而其150mA的电流能力将可用于其他系统组件的电流从大约10mA增加到100mA。

nPM1100具有700nA(典型值)超低静态电流 (IQ),在“运输模式”(ship mode)下可以进一步降低至470nA。

制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:600 V Id-连续漏极电流:47 A Rds On-漏源导通电阻:64 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压:4 V Qg-栅极电荷:148 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:357 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 配置:Single 商标:Vishay / Siliconix 下降时间:82 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:72 ns 工厂包装数量500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:93 ns 典型接通延迟时间:28 ns 单位重量:6 g

EPC9149发货时随附主板以简化测试。增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商,氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目标应用包括直流- 直流转换器、激光雷达(LiDAR)、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器,以及低成本卫星等应用。

RSL10智能拍摄相机平台使工程师能构建超低功耗、小尺寸、带事件触发的机器视觉摄像头,适用于资产管理、智能建筑、工业自动化、智能农业等领域。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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