R-Car片上系统（SoC）增添全新产品系列——R-Car Gen3e。新型SoC产品家族拥有六款新产品，为集成驾驶舱域控制器、车载信息娱乐系统（IVI）、数字仪表盘、驾驶员监控系统和LED矩阵灯等需要高质量图形渲染的入门到中端车载应用打造可扩展阵容。

随着增强现实导航系统和基于AI的数字汽车助手等应用日益普及，整车厂和一级供应商需要在对更大、更高分辨率显示器和高性能芯片飞速增长的需求，与不断飙升的BOM成本及更长的开发时间之间取得平衡。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 31 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 57 S, 29 S

下降时间: 6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 11 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 23 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

零件号别名: IPB2N15N3GXT SP000414740 IPB200N15N3GATMA1

单位重量: 4 g

“GYE系列”（125℃ 4000小时保证）、“GYE系列”（150℃ 1000小时保证）等导电性高分子混合铝电解电容器，并且向车载、工业设备和通信领域等要求高可靠性的市场提出了解决方案。

这次推出的“GYE系列”的容量相比“GYE系列”高一个级别，尺寸相同却实现了大容量，由于电容器数量减少，有望使设备变得更轻更小，这将有助于进一步提升电路设计的性能。

保持了“GYE系列”现有产品的高可控性特长，保证了125℃4000小时的耐高温和长寿命，在耐湿性方面也保证了85℃ 85%RH.2000小时。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）