CRD-06600FF065N是6.6kW高功率密度双向电动汽车车载充电机参考设计,采用Wolfspeed公司的630V C3M™SiC MOSFET和Silicon Labs公司的Si8233BB 4A双路隔离栅极驱动器,以得到大功率密度电动汽车车载充电机(OBC).

前端AC/DC PFC采用CCM图腾柱双向拓扑,工作频率67kHz,双向DC/DC CLLC谐振转换器,工作频率148-300 KHz.恒流,恒压或恒功率模式,独特的热沉设计能把热量从MOSFET,变压器和电感中散发出去.主要用在汽车车载充电器.

制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:8 A Rds On-漏源导通电阻:146 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:22 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:19.8 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 长度:3.3 mm 宽度:3.3 mm 商标:Vishay Semiconductors 产品类型:MOSFET 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 零件号别名:SI7309DN-GE3 单位重量:1 g

与高通强化合作，共同开发先进的无线充电解决方案和开放、可靠的无线电源产品，从而加速量产进程。瑞萨高度集成的30W技术与高通尖端的5G技术相结合，旨在为OEM带来具备高效无线充电功能的交钥匙解决方案，为下一代中端智能手机提供无线快充技术。

与瑞萨电子的合作中，我们致力于打造更加无缝的无线用户体验。面向未来，我们将继续携手开发面向主流移动设备的无线快充交钥匙解决方案。

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