单个氮化镓晶体管实现3.6千瓦(kW)输出功率和集成低侧驱动器

发布时间:2021/7/17 7:08:23 访问次数:306

100V射频氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)技术，此技术适用的应用领域非常广泛，包括雷达、航空电子、电子战、工业、科研和医疗系统。

在100V工作时，此项技术通过单个氮化镓晶体管即可实现3.6千瓦(kW)的输出功率，打破了射频功率的性能屏障。

与更常见的50V/65V氮化镓技术相比，Integra的100V氮化镓技术使设计师能够大幅提高系统的功率水平和功能，同时还能采用更低功率的组合电路来简化系统架构。

制造商:Texas Instruments 产品种类:板上安装温度传感器 RoHS: 详细信息输出类型:Analog 配置:Local 准确性:+/- 2 C 电源电压-最小:4 V 电源电压-最大:30 V 接口类型:- 分辨率:- 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 关闭:No Shutdown 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-92-3 封装:Bulk 输出电流:10 mA 产品:Temperature Sensors 系列:LM35 商标:Texas Instruments 增益:10 mV / C 工作电源电流:91.5 uA 产品类型:Temperature Sensors 工厂包装数量:1800 子类别:Sensors 单位重量:1 g

用于卫星电源管理系统的塑料封装抗辐射（rad-hard）设备的新系列。

这四款新器件包括ISL71001SLHM/SEHM负载点 (POL) 降压稳压器、ISL71610SLHM和ISL71710SLHM数字隔离器，以及ISL73033SLHM100V GaN FET 和集成低侧驱动器。

新产品组合将抗辐射保证水平与塑料封装的电路板面积节省和成本优势相结合，为具有更长寿命要求的中/地球同步地球轨道 (MEO/GEO) 以及小型卫星 ( smallsats) 和更高密度的电子设备，同时降低尺寸、重量和功耗 (SWaP) 成本。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）

100V射频氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)技术，此技术适用的应用领域非常广泛，包括雷达、航空电子、电子战、工业、科研和医疗系统。

在100V工作时，此项技术通过单个氮化镓晶体管即可实现3.6千瓦(kW)的输出功率，打破了射频功率的性能屏障。

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这四款新器件包括ISL71001SLHM/SEHM负载点 (POL) 降压稳压器、ISL71610SLHM和ISL71710SLHM数字隔离器，以及ISL73033SLHM100V GaN FET 和集成低侧驱动器。

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