两个冗余SIL 2模块结构符合SIL 3要求接口所需工作量减少
发布时间:2021/7/18 22:51:54 访问次数:450
高功率密度、数字非隔离点负载(PoL)稳压器BMR474。
垂直安装的SIP(单列直插式封装)设计,BMR474可节省宝贵的电路板空间,同时能够提供高达80A输出电流,最大功率输出为198W。
BMR474专为电信和数据通信应用而设计,可提供极好的性价比,并在12V输入3.3V输出满载条件下提供高达95.1%的效率。
其输入电压范围为6V至15V,输出电压可在0.6V至3.3V范围内进行调节。
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 晶体管极性:N-Channel, P-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:5.3 A, 3.9 A Rds On-漏源导通电阻:58 mOhms, 120 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V, 3 V Qg-栅极电荷:20 nC, 22 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:3.1 W, 3.4 W 通道模式:Enhancement 商标名:TrenchFET 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Dual 系列:SI4 商标:Vishay Semiconductors 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 零件号别名:SI4559ADY-GE3 单位重量:750 mg
SIL 3应用还广泛用于安全相关的应用中,在这些应用中,必须使用模拟信号来控制危险区的现场设备。
传输控制器和现场设备之间信号的隔离栅。我们可以在合适的地方放置冗余SIL 2设备来作为变通方法。与包含两个冗余SIL 2模块的结构相比,符合SIL 3要求的接口模块所需的工作量大大减少。
SIL 3等级的隔离栅甚至在SIL 2应用中也有用武之地,例如,当要获得尽可能长的验证时间时。
这使用户可以借助该系列产品组合来实现SIL 3应用,无论是使用SIL 3隔离式安全栅,还是使用具有SC3功能的冗余SIL 2模块。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
高功率密度、数字非隔离点负载(PoL)稳压器BMR474。
垂直安装的SIP(单列直插式封装)设计,BMR474可节省宝贵的电路板空间,同时能够提供高达80A输出电流,最大功率输出为198W。
BMR474专为电信和数据通信应用而设计,可提供极好的性价比,并在12V输入3.3V输出满载条件下提供高达95.1%的效率。
其输入电压范围为6V至15V,输出电压可在0.6V至3.3V范围内进行调节。
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 晶体管极性:N-Channel, P-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:5.3 A, 3.9 A Rds On-漏源导通电阻:58 mOhms, 120 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V, 3 V Qg-栅极电荷:20 nC, 22 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:3.1 W, 3.4 W 通道模式:Enhancement 商标名:TrenchFET 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Dual 系列:SI4 商标:Vishay Semiconductors 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 零件号别名:SI4559ADY-GE3 单位重量:750 mg
SIL 3应用还广泛用于安全相关的应用中,在这些应用中,必须使用模拟信号来控制危险区的现场设备。
传输控制器和现场设备之间信号的隔离栅。我们可以在合适的地方放置冗余SIL 2设备来作为变通方法。与包含两个冗余SIL 2模块的结构相比,符合SIL 3要求的接口模块所需的工作量大大减少。
SIL 3等级的隔离栅甚至在SIL 2应用中也有用武之地,例如,当要获得尽可能长的验证时间时。
这使用户可以借助该系列产品组合来实现SIL 3应用,无论是使用SIL 3隔离式安全栅,还是使用具有SC3功能的冗余SIL 2模块。
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