X7R的温度稳定性及金丝键合装配成为高性能电路
发布时间:2021/7/18 11:12:12 访问次数:295
V系列单层电容产品家族新成员——新型100nF容值电容器。该100nF、高频、金丝键合装配单层电容完美匹配GaN及GaA放大器应用，其具备的小型尺寸和微波性能对此类应用至关重要。
100nF单层电容将拓展我们的V系列产品家族，为我们的客户带来旁路性能和电路集成的提升,该产品凭借紧凑的尺寸，X7R的温度稳定性以及金丝键合装配成为高性能电路不可或缺的一部分。
单层电容器支持微波和高达100GHz的毫米波应用，具体应用包括通用隔直、低噪声放大器、功率放大器和大功率放大器、振荡器和滤波器等。
714
MOSFET
8,621
肖特基二极管与整流器
3,228
薄膜电容器
931
厚膜电阻器 - SMD
13,734
金属膜电阻器 - 透孔
7,811
开关稳压器
1,760
模拟开关 IC
8,598
标准时钟振荡器
36
开关稳压器
885
新系列用于直流链路应用的爱普科斯 (EPCOS)电力电容器。新系列元件的额定电压范围为700 V DC至2000 V DC，电容范围为20 μF至270 μF。
在65°C时，电流承受能力最高为60 A（具体视型号而定），可耐受高达7.5 kA的峰值电流和最高85°C的热点温度。
新系列电容器配备阻燃等级为UL 94 V0的柱形塑料外壳，支持M8螺栓和M5螺纹孔两种连接方式，典型应用包括光伏系统中的快速切换转换器和逆变器，铁路技术中的牵引，以及感应加热系统。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
V系列单层电容产品家族新成员——新型100nF容值电容器。该100nF、高频、金丝键合装配单层电容完美匹配GaN及GaA放大器应用，其具备的小型尺寸和微波性能对此类应用至关重要。
100nF单层电容将拓展我们的V系列产品家族，为我们的客户带来旁路性能和电路集成的提升,该产品凭借紧凑的尺寸，X7R的温度稳定性以及金丝键合装配成为高性能电路不可或缺的一部分。
单层电容器支持微波和高达100GHz的毫米波应用，具体应用包括通用隔直、低噪声放大器、功率放大器和大功率放大器、振荡器和滤波器等。
714
MOSFET
8,621
肖特基二极管与整流器
3,228
薄膜电容器
931
厚膜电阻器 - SMD
13,734
金属膜电阻器 - 透孔
7,811
开关稳压器
1,760
模拟开关 IC
8,598
标准时钟振荡器
36
开关稳压器
885
新系列用于直流链路应用的爱普科斯 (EPCOS)电力电容器。新系列元件的额定电压范围为700 V DC至2000 V DC，电容范围为20 μF至270 μF。
在65°C时，电流承受能力最高为60 A（具体视型号而定），可耐受高达7.5 kA的峰值电流和最高85°C的热点温度。
新系列电容器配备阻燃等级为UL 94 V0的柱形塑料外壳，支持M8螺栓和M5螺纹孔两种连接方式，典型应用包括光伏系统中的快速切换转换器和逆变器，铁路技术中的牵引，以及感应加热系统。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-15高性能全局快门图像传感器SC533HGS
- 5-15 I2C 接口 PmBUS 及 OTP/MTP 存储器
- 5-15处理器核心电源 Intelli-Phase（单片DrMOS）
- 5-15业界首款全自研高性能RISC-V服务器芯片
- 5-15数字恒定导通时间控制模式（COT）
- 5-15Power Management Buck/降压转换
- 5-15Quiet Switcher技术 (QSTTM)集成驱动 MOSF
- 5-14高精度智能磁性传感器芯片KTM5900
- 5-14新一代全光纤工业光总线技术应用前景
- 5-14通感控一体全光网芯片TS-PON Gen2
- 5-14Sub-GHz/Wi-SUN 收发器技术参数设计
- 5-14低功耗 8 位和 16 位微控制器（MCU）
公网安备44030402000607
