LDMOS晶体管技术并利用高度集成，针对下一代小基站基础设施和大规模MIMO实施提供了全面的射频功率放大器器件组合。

高效率数值（某些型号在9.0dB峰值功率回退时>40%）有助于保持低功耗水平，这意味着它们只产生很少的热量，从而支持更小、更不明显的基站。

MOSFET限流模式可通过BYPASS引脚电容数值来选择.大电流限制提供最大限度连续输出电流而采用非常低成本和小面积表面贴装电感.

制造商:KEMET产品种类:铝质电解电容器-螺旋式接线端RoHS: 产品:Low ESR Electrolytic Capacitors电容:6800 uF电压额定值 DC:250 VDC容差:20 %ESR:20 mOhms最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C直径:76.6 mm长度:106 mm引线间隔:32 mm寿命:19000 Hour纹波电流:14.7 A系列:封装:Bulk高度:-端接类型:Screw类型:Long Life Aluminum Electrolytic Capacitor宽度:-商标:KEMET漏泄电流:9100 uA产品类型:Electrolytic Capacitors12子类别:Capacitors测试频率:100 Hz零件号别名:A351SM682M250A单位重量:585 g

BM2SCQ123T-LBZ是准谐振AC/DC转换器,为所有产品提供最佳的系统.准谐振操作赋能了软开关,有助保持EMI低数值.器件包含了1700 V/4 A SiC(碳化硅)MOSFET,使得设计变得更容易.

突发操作降低了轻负载时的输入功率.器件还包含了各种保护功能如软起动功能,突发操作,逐个周期的过流限制,过压保护功能以及过载保护功能.

待机时的低功耗19 μA. VCC电压为15.0V到27.5V,漏极电压最大为1700V.正常工作电流为800 μA,突发工作的电流为500 μA,最大工作频率为120kHz.

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）