650V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。

全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。

该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。

制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WDFN-8 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:14 A Rds On-漏源导通电阻:52 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:25 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:21 W 通道模式:Enhancement 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 系列:NVTFS5116PL 晶体管类型:1 P-Channel 商标:ON Semiconductor 正向跨导 - 最小值:11 S 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:5000 子类别:MOSFETs 单位重量:29.570 mg

完整的1200 V TRENCHSTOP IGBT7 EasyPIM™和EasyPACK™产品系列。可根据客户需要提供Press FIT压接版本，焊接引脚和TIM版本。

此频率允许您使用DRV5032的低功耗选项，该器件仅消耗约0.5μA的静态电流，不会电池使用时间产生严重影响。

这样可以大大降低应用中的损耗，特别是对于通常以中等开关频率工作的工业电机驱动器而言。 全新功率模块允许的最高过载结温为175°C。此外，它们有更软的开关特性。