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16位的位置测量值和温度值约100MTR/平方毫米的密度

发布时间:2021/7/13 13:19:53 访问次数:809

MLX90392 集成有温度传感器并采用 I2C 通信协议,可在工作频率高达 1 MHz 的 I2C 总线上提供 16 位的位置测量值(用 X,Y,Z 坐标表示)和温度值。

该传感器芯片有两种型号,可选择 ±50 mT 和 ±5 mT 满量程,利用 Melexis 荣获专利的 Triaxis® 霍尔技术实现低噪声与超高精度。

两种型号都支持单次测量和连续测量模式,极具设计灵活性。自检状态、数据就绪和磁传感器溢出指示可提供全方位的诊断。

制造商: Silicon Laboratories

产品种类: 射频收发器

RoHS:  详细信息

类型: Sub-GHz

频率范围: 119 MHz to 1050 MHz

最大数据速率: 1 Mb/s

调制格式: 4-FSK, 4-GFSK, ASK, FSK, GFSK, GMSK, MSK, OOK

电源电压-最小: 1.8 V

电源电压-最大: 3.6 V

接收供电电流: 10 mA, 13 mA

传输供电电流: 70 mA, 85 mA

输出功率: 20 dBm

接口类型: SPI

封装 / 箱体: QFN-20

封装: Tray

灵敏度: - 126 dBm

系列: SI4463

技术: Si

商标: Silicon Labs

安装风格: SMD/SMT

最大工作频率: 1050 MHz

产品类型: RF Transceiver

工厂包装数量: 490

子类别: Wireless & RF Integrated Circuits

商标名: EZRadioPRO

单位重量: 16.490 mg

3nm,4nm / 5nm和6nm / 7nm,先进节点上的大部分资金将用于将台积电的N5产能扩大,扩大后的产能将提到至每月110,000〜120,000个晶圆启动(WSPM)分析师估计,台积电的N5晶体管密度约为每平方毫米1.7亿个晶体管(MTr / mm 2),如果准确的话,它是当今可用的最密集的技术。

相比之下,三星Foundry的5LPE的晶体管密度介乎125 MTR /平方毫米〜130 MTR /平方毫米之间,而Intel的10纳米设有一个约100 MTR /平方毫米的密度。

N4将利用N5的强大基础来进一步扩展我们的5 nm系列,为下一波5纳米产品提供了进一步的性能,功率和密度增强。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


MLX90392 集成有温度传感器并采用 I2C 通信协议,可在工作频率高达 1 MHz 的 I2C 总线上提供 16 位的位置测量值(用 X,Y,Z 坐标表示)和温度值。

该传感器芯片有两种型号,可选择 ±50 mT 和 ±5 mT 满量程,利用 Melexis 荣获专利的 Triaxis® 霍尔技术实现低噪声与超高精度。

两种型号都支持单次测量和连续测量模式,极具设计灵活性。自检状态、数据就绪和磁传感器溢出指示可提供全方位的诊断。

制造商: Silicon Laboratories

产品种类: 射频收发器

RoHS:  详细信息

类型: Sub-GHz

频率范围: 119 MHz to 1050 MHz

最大数据速率: 1 Mb/s

调制格式: 4-FSK, 4-GFSK, ASK, FSK, GFSK, GMSK, MSK, OOK

电源电压-最小: 1.8 V

电源电压-最大: 3.6 V

接收供电电流: 10 mA, 13 mA

传输供电电流: 70 mA, 85 mA

输出功率: 20 dBm

接口类型: SPI

封装 / 箱体: QFN-20

封装: Tray

灵敏度: - 126 dBm

系列: SI4463

技术: Si

商标: Silicon Labs

安装风格: SMD/SMT

最大工作频率: 1050 MHz

产品类型: RF Transceiver

工厂包装数量: 490

子类别: Wireless & RF Integrated Circuits

商标名: EZRadioPRO

单位重量: 16.490 mg

3nm,4nm / 5nm和6nm / 7nm,先进节点上的大部分资金将用于将台积电的N5产能扩大,扩大后的产能将提到至每月110,000〜120,000个晶圆启动(WSPM)分析师估计,台积电的N5晶体管密度约为每平方毫米1.7亿个晶体管(MTr / mm 2),如果准确的话,它是当今可用的最密集的技术。

相比之下,三星Foundry的5LPE的晶体管密度介乎125 MTR /平方毫米〜130 MTR /平方毫米之间,而Intel的10纳米设有一个约100 MTR /平方毫米的密度。

N4将利用N5的强大基础来进一步扩展我们的5 nm系列,为下一波5纳米产品提供了进一步的性能,功率和密度增强。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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