LDMOS晶体管技术并利用高度集成，针对下一代小基站基础设施和大规模MIMO实施提供了全面的射频功率放大器器件组合。

LGA系列功率放大器采用50Ω输入/输出的小尺寸（尺寸为7mm×7mm）封装供货，能够实现业界领先的性能参数。

其所表现出的高效率数值（某些型号在9.0dB峰值功率回退时>40%）有助于保持低功耗水平，这意味着它们只产生很少的热量，从而支持更小、更不明显的基站。

制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WDFN-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:20 A Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V Qg-栅极电荷:2.9 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:20 W 通道模式:Enhancement 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 晶体管类型:1 N-Channel 商标:ON Semiconductor 正向跨导 - 最小值:20 S 下降时间:23 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:25 ns 工厂包装数量:1500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:13 ns 典型接通延迟时间:6.5 ns 单位重量:29.570 mg

Tetra 以同步快门设计为基础，因此可以通过真实的相关双采样 (CDS) 实现低读取噪声以及高动态范围。每个通道都有其各自的曝光控制，因此白平衡很容易操作。

陶瓷 LCC 封装使其可在较大范围的操作温度下保持高性能和高可靠性。传感器数据端口具有较高的信号完整性以及简单的接口便于实现快速系统集成。

分选行业已开始将传统技术从彩色升级到多光谱成像。Tetra 拥有独特的 RGB + NIR 特性，它的设计融合了提高食品分选质量和安全性的下一代技术。

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