IMX3112 1:2总线扩展器和DDR5 SPD集线器SPD5118
发布时间:2021/6/26 12:29:12 访问次数:903
瑞萨I3C总线扩展产品已通过合作伙伴AMI的MegaRAC® SP-X远程管理软件和固件认证。
I3C产品入选AMI认证供应商名单,客户可轻松将其DDR5平台和板卡从I2C或其它传统的扩展器规格迁移至全新高速I3C规格。
IMX3102 2:1总线多路复用器、IMX3112 1:2总线扩展器和DDR5 SPD集线器SPD5118可为工程师带来非常大的设计灵活性,I3C Basic作为系统管理总线可适用于各种控制平面设计的应用场景,包括数据中心及服务器应用、企业/工厂自动化和通信设备。
制造商:Texas Instruments 产品种类:模拟比较器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 通道数量:2 Channel 输出类型:Push-Pull 响应时间:4 us 比较器类型:General Purpose 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:15 V 工作电源电流:20 uA Vos - 输入偏置电压 :5 mV Ib - 输入偏流:400 fA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.45 mm 长度:4.9 mm 产品:Analog Comparators 电源类型:Single 技术:CMOS 类型:Micro Power Comparator 宽度:3.9 mm 商标:Texas Instruments 关闭:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:75 dB GBP-增益带宽产品:- 工作电源电压:3 V, 5 V, 9 V, 12 V 产品类型:Analog Comparators PSRR - 电源抑制比:80 dB 2500 子类别:Amplifier ICs Vcm - 共模电压:- 0.2 V 电压增益 dB:100 dB 单位重量:143 mg
主要特点与优势
I/O接口的双向保护
ESD 保护性能满足 IEC 61000-4-2 标准要求
接触放电电压最高可达 24 kV
浪涌电流负载能力高达 8 A,满足IEC 61000-4-5 (8/20 μs) 标准要求
钳位电压:8 V
400 x 200 μm2 或 600 x 300 μm2的芯片级封装,占用空间极小
超低封装高度:仅100 μm
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
瑞萨I3C总线扩展产品已通过合作伙伴AMI的MegaRAC® SP-X远程管理软件和固件认证。
I3C产品入选AMI认证供应商名单,客户可轻松将其DDR5平台和板卡从I2C或其它传统的扩展器规格迁移至全新高速I3C规格。
IMX3102 2:1总线多路复用器、IMX3112 1:2总线扩展器和DDR5 SPD集线器SPD5118可为工程师带来非常大的设计灵活性,I3C Basic作为系统管理总线可适用于各种控制平面设计的应用场景,包括数据中心及服务器应用、企业/工厂自动化和通信设备。
制造商:Texas Instruments 产品种类:模拟比较器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 通道数量:2 Channel 输出类型:Push-Pull 响应时间:4 us 比较器类型:General Purpose 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:15 V 工作电源电流:20 uA Vos - 输入偏置电压 :5 mV Ib - 输入偏流:400 fA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.45 mm 长度:4.9 mm 产品:Analog Comparators 电源类型:Single 技术:CMOS 类型:Micro Power Comparator 宽度:3.9 mm 商标:Texas Instruments 关闭:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:75 dB GBP-增益带宽产品:- 工作电源电压:3 V, 5 V, 9 V, 12 V 产品类型:Analog Comparators PSRR - 电源抑制比:80 dB 2500 子类别:Amplifier ICs Vcm - 共模电压:- 0.2 V 电压增益 dB:100 dB 单位重量:143 mg
主要特点与优势
I/O接口的双向保护
ESD 保护性能满足 IEC 61000-4-2 标准要求
接触放电电压最高可达 24 kV
浪涌电流负载能力高达 8 A,满足IEC 61000-4-5 (8/20 μs) 标准要求
钳位电压:8 V
400 x 200 μm2 或 600 x 300 μm2的芯片级封装,占用空间极小
超低封装高度:仅100 μm
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)