安装范围在离AC插座最远3米的距离内的节点到云的方案
发布时间:2021/7/3 8:17:42 访问次数:142
将USB Type-C端口作为唯一的输入电源选项。虽然USB-C®技术可以提供高功率和高数据速率,但其安装范围必需在离AC插座最远3米的距离内。
随着以太网供电(PoE)日益普遍,通过标准以太网电缆供电成为一种更普遍、更方便、同时也是最实用的解决方案,可以在最远100米的距离内提供电源和数据。
高功率的PoE转USB-C电源和数据适配器,能通过PoE基础设施支持的以太网电缆提供高达60W的USB输出功率。
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:10.3 A Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:27 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:4.5 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 长度:6.15 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:5.15 mm 商标:Vishay Semiconductors 正向跨导 - 最小值:26 S 下降时间:12 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:10 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:25 ns 典型接通延迟时间:10 ns 零件号别名:SI7850DP-E3 单位重量:506.600 mg
RSL10 智能拍摄相机平台和RSL10传感器开发套件是完整的节点到云的方案,含先进的蓝牙低功耗联接和传感技术。
RSL10 智能拍摄相机平台专为事件触发式成像而设计,结合低功耗图像捕获功能和对基于云的人工智能(AI)分析的支持。
开发人员使用RSL10智能拍摄相机平台,可创建成像应用,当由时间或环境变化 (如运动、湿度或温度等)引起的事件触发时,自动拍照。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
将USB Type-C端口作为唯一的输入电源选项。虽然USB-C®技术可以提供高功率和高数据速率,但其安装范围必需在离AC插座最远3米的距离内。
随着以太网供电(PoE)日益普遍,通过标准以太网电缆供电成为一种更普遍、更方便、同时也是最实用的解决方案,可以在最远100米的距离内提供电源和数据。
高功率的PoE转USB-C电源和数据适配器,能通过PoE基础设施支持的以太网电缆提供高达60W的USB输出功率。
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:10.3 A Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:27 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:4.5 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 长度:6.15 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:5.15 mm 商标:Vishay Semiconductors 正向跨导 - 最小值:26 S 下降时间:12 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:10 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:25 ns 典型接通延迟时间:10 ns 零件号别名:SI7850DP-E3 单位重量:506.600 mg
RSL10 智能拍摄相机平台和RSL10传感器开发套件是完整的节点到云的方案,含先进的蓝牙低功耗联接和传感技术。
RSL10 智能拍摄相机平台专为事件触发式成像而设计,结合低功耗图像捕获功能和对基于云的人工智能(AI)分析的支持。
开发人员使用RSL10智能拍摄相机平台,可创建成像应用,当由时间或环境变化 (如运动、湿度或温度等)引起的事件触发时,自动拍照。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)