IBM在IEDM论道面向32纳米节点的SRAM单元技术
发布时间:2007/9/1 0:00:00 访问次数:266
IBM公司的研究人员日前在IEDM会议上发表演讲，介绍了满足32纳米节点规范要求的SRAM单元，面积只有0.143平方微米。目前制造领域最先进的90纳米SRAM单元面积为1平方微米。
“此单元显示了我们能够持续缩小SRAM的可能性，因此能通过至少三个额外的工艺节点，继续增强系统性能。”SRAM项目团队领导Jack Hergenrother表示。“这些是常规的硅晶体管。我们所演示的器件能被加工，功能正常，外形比目前的显著减小。”
该单元在1V工作电压下具有150毫伏的直流静态裕度，满足国际半导体技术蓝图定义的32纳米节点门泄露和断态泄露电流(次阈值斜率)要求，Hergenrother表示。
该SRAM构建于常规的绝缘硅技术，传统二氧化硅门绝缘层大约为1纳米厚。据称该团队采用电子束光蚀刻，用于关键尺寸。光蚀刻极大地提高了生产量。
（转自 电子工程专辑）
IBM公司的研究人员日前在IEDM会议上发表演讲，介绍了满足32纳米节点规范要求的SRAM单元，面积只有0.143平方微米。目前制造领域最先进的90纳米SRAM单元面积为1平方微米。
“此单元显示了我们能够持续缩小SRAM的可能性，因此能通过至少三个额外的工艺节点，继续增强系统性能。”SRAM项目团队领导Jack Hergenrother表示。“这些是常规的硅晶体管。我们所演示的器件能被加工，功能正常，外形比目前的显著减小。”
该单元在1V工作电压下具有150毫伏的直流静态裕度，满足国际半导体技术蓝图定义的32纳米节点门泄露和断态泄露电流(次阈值斜率)要求，Hergenrother表示。
该SRAM构建于常规的绝缘硅技术，传统二氧化硅门绝缘层大约为1纳米厚。据称该团队采用电子束光蚀刻，用于关键尺寸。光蚀刻极大地提高了生产量。
（转自 电子工程专辑）
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