导通电阻有效增加日间成像动态范围及最大信噪比
发布时间:2021/6/27 21:33:35 访问次数:231
在日间光线充足的应用场景,SC233A与SC223A凭借思特威特有的PixGainTM技术,满阱电子提升超过2倍,有效增加了日间成像的动态范围及最大信噪比。
SC233A及SC223A较前代DSI-1产品在色彩呈现力上也更加出色,色彩饱和度Chroma提升20%,不仅暗光下的全彩效果更佳,在白天也能提供色彩更为艳丽的影像。
实现了白天+夜间的成像性能双升级,同时,为了满足客户高端应用的需求,SC233A还可支持60帧+HDR Mode影像输出。
制造商:ON Semiconductor 产品种类:电可擦除可编程只读存储器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 接口类型:2-Wire, I2C 存储容量:128 kbit 组织:16 k x 8 电源电压-最小:2.5 V 电源电压-最大:6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 最大时钟频率:400 kHz 访问时间:900 ns 数据保留:100 Year 电源电流—最大值:3 mA 封装:Reel 商标:ON Semiconductor 工作电源电流:3 mA 工作电源电压:3.3 V, 5 V 产品类型:EEPROM 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:540 mg
新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平,可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型单体封装,10 V条件下最大导通电阻仅为17.3 mW /典型值为14.3 mW。
日前发布的汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %,比前代解决方案低31 %,占位面积减小50 %,有助于降低导通功耗,节省能源,同时增加功率密度提高输出。
在日间光线充足的应用场景,SC233A与SC223A凭借思特威特有的PixGainTM技术,满阱电子提升超过2倍,有效增加了日间成像的动态范围及最大信噪比。
SC233A及SC223A较前代DSI-1产品在色彩呈现力上也更加出色,色彩饱和度Chroma提升20%,不仅暗光下的全彩效果更佳,在白天也能提供色彩更为艳丽的影像。
实现了白天+夜间的成像性能双升级,同时,为了满足客户高端应用的需求,SC233A还可支持60帧+HDR Mode影像输出。
制造商:ON Semiconductor 产品种类:电可擦除可编程只读存储器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 接口类型:2-Wire, I2C 存储容量:128 kbit 组织:16 k x 8 电源电压-最小:2.5 V 电源电压-最大:6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 最大时钟频率:400 kHz 访问时间:900 ns 数据保留:100 Year 电源电流—最大值:3 mA 封装:Reel 商标:ON Semiconductor 工作电源电流:3 mA 工作电源电压:3.3 V, 5 V 产品类型:EEPROM 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:540 mg
新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平,可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型单体封装,10 V条件下最大导通电阻仅为17.3 mW /典型值为14.3 mW。
日前发布的汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %,比前代解决方案低31 %,占位面积减小50 %,有助于降低导通功耗,节省能源,同时增加功率密度提高输出。