新一代200V氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器，以及多电平、高压AC/DC转换器的理想功率器件。

与基准硅器件相比，这两款氮化镓器件的性能更高。 EPC2215的导通阻抗降低了33％，但尺寸却缩小了15倍。

栅极电荷（QG）较基准硅MOSFET器件小十倍，并且与所有eGaN FET一样，没有反向恢复电荷（QRR）,从而使得D类音频放大器可以实现更低的失真，以及实现更高效的同步整流器和电机驱动器。

制造商:ON Semiconductor 产品种类:门驱动器 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:High Side, Low Side 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PQFN-39 激励器数量:2 Driver 输出端数量:1 Output 输出电流:50 A, 80 A 电源电压-最小:4.5 V 电源电压-最大:5.5 V 配置:Single 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 特点:High and Low Side MOSFET, Internal Bootstrap Diode 技术:Si 商标:ON Semiconductor 传播延迟—最大值:75 ns 关闭:Shutdown 工作电源电流:8 mA 产品类型:Gate Drivers 工厂包装数量3000 子类别:PMIC - Power Management ICs

升级的诊断功能可以指示开路负载、过流关断和过热关闭，简化安全需求型的功能设计。

IPS160HF和IPS161HF可以安全地驱动另一端接地的复杂阻性、容性和感性负载，如电磁阀、继电器和灯具。除了安全传感器等SIL级的应用外，还可以用于一般的工厂自动化和过程控制设备，如可编程逻辑控制器(PLC)、I/O外设和计算机数控(CNC)机床。

作为智能型功率开关，IPS160HF和IPS161HF集成了逻辑接口、驱动电路、各种保护功能，和一个N沟道功率MOSFET输出级。

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