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内置保护机制集成主动钳位电路来处理感性负载和低谐波失真

发布时间:2021/6/16 20:17:39 访问次数:275

氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)优越特性使得转换器能够实现高功率密度,超高效率和低谐波失真。

200 V eGaN FET(EPC2215和EPC2207),性能更高而同时成本更低,目前已有供货。采用这些领先氮化镓器件的应用十分广阔,包括D类音频放大器、同步整流器、太阳能最大功率点跟踪器(MPPT)、DC/DC转换器(硬开关和谐振式),以及多电平高压转换器。

EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大约缩小50%,而性能却倍增。

制造商:Texas Instruments 产品种类:电池管理 产品:Charge Management 工作电源电压:4.5 V to 24 V 封装 / 箱体:WQFN-28 安装风格:SMD/SMT 封装:Cut Tape 封装:Reel 商标:Texas Instruments 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 产品类型:Battery Management 工厂包装数量3000 子类别:PMIC - Power Management ICs

IPS160HF内部输出级限流2.5A(Min),IPS161HF限流0.7A(Min)。这两款器件均能耐受最高65V的电源电压,并集成主动钳位电路来处理感性负载。

内置保护机制包括GND开路和VCC开路保护、热关断、欠压保护和短路关断等,以保护芯片、应用和过载情形。关断延时可用外部电容器设定,关断保护会在预设延时后立即动作,关断后器件几乎不消耗功率,以减少发热。

IPS160HF和IPS161HF现已量产,采用散热改进型PowerSSO12封装。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)优越特性使得转换器能够实现高功率密度,超高效率和低谐波失真。

200 V eGaN FET(EPC2215和EPC2207),性能更高而同时成本更低,目前已有供货。采用这些领先氮化镓器件的应用十分广阔,包括D类音频放大器、同步整流器、太阳能最大功率点跟踪器(MPPT)、DC/DC转换器(硬开关和谐振式),以及多电平高压转换器。

EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大约缩小50%,而性能却倍增。

制造商:Texas Instruments 产品种类:电池管理 产品:Charge Management 工作电源电压:4.5 V to 24 V 封装 / 箱体:WQFN-28 安装风格:SMD/SMT 封装:Cut Tape 封装:Reel 商标:Texas Instruments 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 产品类型:Battery Management 工厂包装数量3000 子类别:PMIC - Power Management ICs

IPS160HF内部输出级限流2.5A(Min),IPS161HF限流0.7A(Min)。这两款器件均能耐受最高65V的电源电压,并集成主动钳位电路来处理感性负载。

内置保护机制包括GND开路和VCC开路保护、热关断、欠压保护和短路关断等,以保护芯片、应用和过载情形。关断延时可用外部电容器设定,关断保护会在预设延时后立即动作,关断后器件几乎不消耗功率,以减少发热。

IPS160HF和IPS161HF现已量产,采用散热改进型PowerSSO12封装。


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