PG22微控制器兼容EFR32xG22无线SoC的引脚和软件
发布时间:2021/6/3 13:33:02 访问次数:666
PG22微控制器还具有完整的安全功能，包括带信任根和安全装载程序 (RTSL) 的安全引导、真随机数生成器，以及AES128/256、SHA-1、SHA-2（最高256位）、ECC（最高256位）、ECDH和ECDSA硬件加密加速。
PG22微控制器兼容EFR32xG22无线SoC（BG22、MG22和FG22）的引脚和软件，使设计人员能够借助可扩展的嵌入式平台来简化产品开发，并帮助提高产品的性价比。
器件的外设包括12位1Msps逐次逼近 (SAR) 模数转换器 (ADC)、八通道DMA控制器、数字麦克风接口和32位实时计数器。
制造商:Texas Instruments 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 每个通道的输出电流:140 mA Vos - 输入偏置电压 :4 mV 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C Ib - 输入偏流:12 uA 工作电源电流:6.5 mA CMRR - 共模抑制比:105 dB 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 特点:Decompensated 高度:1.45 mm 长度:4.9 mm 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single, Dual 技术:BiCOM 宽度:3.9 mm 商标:Texas Instruments 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V In—输入噪声电流密度:1.8 pA/sqrt Hz 最大双重电源电压:+/- 18 V 最小双重电源电压:+/- 2.75 V 工作电源电压:9 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V, 28 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 电源抑制比:85 dB 2500 子类别:Amplifier ICs 电压增益 dB:78 dB 单位重量:187 mg
整个输入-输出延时为75ns.单独的沉和源选择使得容易配置栅极驱动,4A米勒钳位引脚选择,器件具有UVLO功能,栅极驱动电压高达26V,3.3 V, 5 V TTL/CMOS带滞后的输入,温度关断保护,待机功能,6kV电流隔离,宽体SO-8W封装.
器件在38.4MHz的工作模式下耗电量仅26μA/MHz，在深度睡眠模式下耗电量最低仅0.95μA，而且可以保留8KB的RAM数据不丢失。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
PG22微控制器还具有完整的安全功能，包括带信任根和安全装载程序 (RTSL) 的安全引导、真随机数生成器，以及AES128/256、SHA-1、SHA-2（最高256位）、ECC（最高256位）、ECDH和ECDSA硬件加密加速。
PG22微控制器兼容EFR32xG22无线SoC（BG22、MG22和FG22）的引脚和软件，使设计人员能够借助可扩展的嵌入式平台来简化产品开发，并帮助提高产品的性价比。
器件的外设包括12位1Msps逐次逼近 (SAR) 模数转换器 (ADC)、八通道DMA控制器、数字麦克风接口和32位实时计数器。
制造商:Texas Instruments 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 每个通道的输出电流:140 mA Vos - 输入偏置电压 :4 mV 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C Ib - 输入偏流:12 uA 工作电源电流:6.5 mA CMRR - 共模抑制比:105 dB 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 特点:Decompensated 高度:1.45 mm 长度:4.9 mm 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single, Dual 技术:BiCOM 宽度:3.9 mm 商标:Texas Instruments 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V In—输入噪声电流密度:1.8 pA/sqrt Hz 最大双重电源电压:+/- 18 V 最小双重电源电压:+/- 2.75 V 工作电源电压:9 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V, 28 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 电源抑制比:85 dB 2500 子类别:Amplifier ICs 电压增益 dB:78 dB 单位重量:187 mg
整个输入-输出延时为75ns.单独的沉和源选择使得容易配置栅极驱动,4A米勒钳位引脚选择,器件具有UVLO功能,栅极驱动电压高达26V,3.3 V, 5 V TTL/CMOS带滞后的输入,温度关断保护,待机功能,6kV电流隔离,宽体SO-8W封装.
器件在38.4MHz的工作模式下耗电量仅26μA/MHz，在深度睡眠模式下耗电量最低仅0.95μA，而且可以保留8KB的RAM数据不丢失。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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