LFPAK56D半桥封装成功减少了60%的寄生电感
发布时间:2021/5/31 7:52:59 访问次数:358
在半桥结构中，高边MOSFET的源极与低边MOSFET的漏极之间的PCB连接会产生大量的寄生电感。但是，通过内部夹式连接，LFPAK56D半桥封装成功减少了60%的寄生电感。
LFPAK56D半桥MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。
这两款产品都采用高度耐用的Trench 9汽车级晶圆工艺技术，额定电压为40 V，并在关键测试中通过了两倍汽车AEC-Q101规范的验证。
这两款器件的RDS(on)分别为4.2 mOhm (BUK7V4R2)和13 mOhm (BUK9V13)。
A17700使系统设计人员可以根据具体要求轻松地选择最适合的绝佳算法和I/O选项，能够在精度和生产线末端测试时间之间达到最佳平衡，从而可以优化系统成本。
A17700占位面积小，集成有灵活的补偿技术，是当今电动和混合动力汽车等空间和效率至关重要应用的理想解决方案。
器件有过压保护和输出电压顺序以及热保护,对LNM器件可同步到外部时钟.主要用在24V总线工业电源系统,24V电池供电设备,传感器和常开的应用,分散智能节点以及低噪音应用.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
在半桥结构中，高边MOSFET的源极与低边MOSFET的漏极之间的PCB连接会产生大量的寄生电感。但是，通过内部夹式连接，LFPAK56D半桥封装成功减少了60%的寄生电感。
LFPAK56D半桥MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。
这两款产品都采用高度耐用的Trench 9汽车级晶圆工艺技术，额定电压为40 V，并在关键测试中通过了两倍汽车AEC-Q101规范的验证。
这两款器件的RDS(on)分别为4.2 mOhm (BUK7V4R2)和13 mOhm (BUK9V13)。
A17700使系统设计人员可以根据具体要求轻松地选择最适合的绝佳算法和I/O选项，能够在精度和生产线末端测试时间之间达到最佳平衡，从而可以优化系统成本。
A17700占位面积小，集成有灵活的补偿技术，是当今电动和混合动力汽车等空间和效率至关重要应用的理想解决方案。
器件有过压保护和输出电压顺序以及热保护,对LNM器件可同步到外部时钟.主要用在24V总线工业电源系统,24V电池供电设备,传感器和常开的应用,分散智能节点以及低噪音应用.
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