IGBT模块上出现明显电压过冲优化了系统的电磁兼容性
发布时间:2021/5/18 7:35:37 访问次数:433
ModCap™ 采用并联的扁平容芯绕卷结构设计，并填充聚氨酯树脂。这种设计使其能尽可能靠近 IGBT 模块安装，最大限度缩短了引线。
加上低至 14 nH 的超低自感，可确保在断电时有效防止 IGBT 模块上出现明显电压过冲。
该系列电容器采用双轴取向聚丙烯 (BOPP) 作为电介质，可实现长时间 90°C 热点温度，同时显著增强自愈性。借助仿真软件，TDK 还能根据客户指定的频谱、最大电流和安装方式等参数计算电容器的温升情况。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列:STM32F070F6 封装:Cut Tape 封装:Reel 商标:STMicroelectronics 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量:2500 子类别:Microcontrollers - MCU 商标名:STM32 单位重量:1.400 g
ROHM拥有面向各种应用开发小型LED的傲人业绩，其中包括消费电子设备用的业界超小级别1006尺寸PicoLED™和汽车电子设备用的1608尺寸高可靠性ExceLED™。
借助CoolSiC混合分立器件，我们可以简化驱动器设计，从而缩短了产品研发时间、降低了研发成本、提高了系统鲁棒性。而集成的SiC二极管所具有的反向恢复性能进一步优化了系统的电磁兼容性。因此在图腾柱PFC、DAB等拓扑架构中具备更大的性能优势和更高的性价比。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
ModCap™ 采用并联的扁平容芯绕卷结构设计，并填充聚氨酯树脂。这种设计使其能尽可能靠近 IGBT 模块安装，最大限度缩短了引线。
加上低至 14 nH 的超低自感，可确保在断电时有效防止 IGBT 模块上出现明显电压过冲。
该系列电容器采用双轴取向聚丙烯 (BOPP) 作为电介质，可实现长时间 90°C 热点温度，同时显著增强自愈性。借助仿真软件，TDK 还能根据客户指定的频谱、最大电流和安装方式等参数计算电容器的温升情况。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列:STM32F070F6 封装:Cut Tape 封装:Reel 商标:STMicroelectronics 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量:2500 子类别:Microcontrollers - MCU 商标名:STM32 单位重量:1.400 g
ROHM拥有面向各种应用开发小型LED的傲人业绩，其中包括消费电子设备用的业界超小级别1006尺寸PicoLED™和汽车电子设备用的1608尺寸高可靠性ExceLED™。
借助CoolSiC混合分立器件，我们可以简化驱动器设计，从而缩短了产品研发时间、降低了研发成本、提高了系统鲁棒性。而集成的SiC二极管所具有的反向恢复性能进一步优化了系统的电磁兼容性。因此在图腾柱PFC、DAB等拓扑架构中具备更大的性能优势和更高的性价比。
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