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SPST/A型高压继电器将SRAM与SONOS非易失性技术相结合

发布时间:2021/5/16 18:24:55 访问次数:214

新款1C型转换继电器,这一新设计既节省了空间,又简化了设计。

对于一些应用,比如说高压信号需要路由到交替点、极性反转、电容器充电或放电,高压转换继电器(SPDT/C型)将是理想的解决方案。

使用两个常开(SPST/A型)高压继电器,确保其中任何一个开关在闭合前另一个开关总是先断开。

相比于用一个继电器的方案,用两个继电器就需要两倍的PCB空间,而且容易造成复杂的驱动问题。另外,如果其中任何一个SPST继电器触点粘连了,就会有信号短路的意外风险。

制造商:TE Connectivity 产品种类:汽车连接器 RoHS: 详细信息 产品:Housings 附件类型:Receptacle Housing 位置数量:3 Position 型式:Female 安装风格:Free Hanging 端接类型:Crimp 系列:Superseal 1.5 封装:Bag 应用:Signal 颜色:Black 触点类型:Socket 描述/功能:AMP Superseal 1.5mm Series, Housing for Female Terminals 高度:32.2 mm 外壳材料:Polyamide (PA) 长度:23.1 mm 安装角:Straight 排数:1 Row 电压额定值:24 VDC 宽度:9.3 mm 商标:TE Connectivity 锁配合特点:Integrated in Housing 节距:6 mm 触点类型:Female 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 产品类型:Automotive Connectors 工厂包装数量:650 子类别:Automotive Connectors 商标名:SUPERSEAL 单位重量:3.600 g

nvSRAM系列中新增的这些符合QML-Q规范的高可靠性工业用器件证明了我们致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。

英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与一流的SONOS非易失性技术相结合。在正常工作条件下,nvSRAM的作用类似于传统的异步SRAM。

断电时,nvSRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中,该数据的保护期限超过20年。英飞凌已交付超过20亿颗基于SONOS的非易失性嵌入式或独立存储器。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

新款1C型转换继电器,这一新设计既节省了空间,又简化了设计。

对于一些应用,比如说高压信号需要路由到交替点、极性反转、电容器充电或放电,高压转换继电器(SPDT/C型)将是理想的解决方案。

使用两个常开(SPST/A型)高压继电器,确保其中任何一个开关在闭合前另一个开关总是先断开。

相比于用一个继电器的方案,用两个继电器就需要两倍的PCB空间,而且容易造成复杂的驱动问题。另外,如果其中任何一个SPST继电器触点粘连了,就会有信号短路的意外风险。

制造商:TE Connectivity 产品种类:汽车连接器 RoHS: 详细信息 产品:Housings 附件类型:Receptacle Housing 位置数量:3 Position 型式:Female 安装风格:Free Hanging 端接类型:Crimp 系列:Superseal 1.5 封装:Bag 应用:Signal 颜色:Black 触点类型:Socket 描述/功能:AMP Superseal 1.5mm Series, Housing for Female Terminals 高度:32.2 mm 外壳材料:Polyamide (PA) 长度:23.1 mm 安装角:Straight 排数:1 Row 电压额定值:24 VDC 宽度:9.3 mm 商标:TE Connectivity 锁配合特点:Integrated in Housing 节距:6 mm 触点类型:Female 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 产品类型:Automotive Connectors 工厂包装数量:650 子类别:Automotive Connectors 商标名:SUPERSEAL 单位重量:3.600 g

nvSRAM系列中新增的这些符合QML-Q规范的高可靠性工业用器件证明了我们致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。

英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与一流的SONOS非易失性技术相结合。在正常工作条件下,nvSRAM的作用类似于传统的异步SRAM。

断电时,nvSRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中,该数据的保护期限超过20年。英飞凌已交付超过20亿颗基于SONOS的非易失性嵌入式或独立存储器。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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