GaN技术单片整合功率级以及驱动和保护电路
发布时间:2021/5/16 8:30:48 访问次数:937
在智能功率技术、宽带隙半导体材料和封装技术领域的领先优势和创新成果，STi2GaN系列采用GaN技术单片整合功率级以及驱动和保护电路，并通过系统级封装(SiP)解决方案增加了数据处理和控制电路，满足市场对特殊用途专用芯片的需求。
STi2GaN解决方案采用意法半导体的新型无引线封装技术，提高了芯片的稳定性、可靠性和性能。
STi2GaN延续了ST长期以来在复合材料和智能功率产品创新方面的成功经验，主要应用包括汽车以及需要高密度、高可靠性和高功率的电源。
eGaN FET可以在250 kHz的开关频率下实现97%的效率，可实现每相800 W，而硅基解决方案只能实现每相600 W，因为后者在100 kHz的最大开关频率下，电感电流受限。
通过使用氮化镓场效应晶体管，有可能将3.5 kW转换器的相数从五相减到四相，并同时提高效率。
工作在250 kHz频率下的四相氮化镓基转换器的效率，比工作在100 kHz的五相硅MOSFET转换器高出1.5%。
氮化镓场效应晶体管展示卓越的可靠性，是这种要求非常高的应用的理想器件。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
在智能功率技术、宽带隙半导体材料和封装技术领域的领先优势和创新成果，STi2GaN系列采用GaN技术单片整合功率级以及驱动和保护电路，并通过系统级封装(SiP)解决方案增加了数据处理和控制电路，满足市场对特殊用途专用芯片的需求。
STi2GaN解决方案采用意法半导体的新型无引线封装技术，提高了芯片的稳定性、可靠性和性能。
STi2GaN延续了ST长期以来在复合材料和智能功率产品创新方面的成功经验，主要应用包括汽车以及需要高密度、高可靠性和高功率的电源。
eGaN FET可以在250 kHz的开关频率下实现97%的效率，可实现每相800 W，而硅基解决方案只能实现每相600 W，因为后者在100 kHz的最大开关频率下，电感电流受限。
通过使用氮化镓场效应晶体管，有可能将3.5 kW转换器的相数从五相减到四相，并同时提高效率。
工作在250 kHz频率下的四相氮化镓基转换器的效率，比工作在100 kHz的五相硅MOSFET转换器高出1.5%。
氮化镓场效应晶体管展示卓越的可靠性，是这种要求非常高的应用的理想器件。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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