切换器配有错误处理、先进的错误报告等功能，以及带有纠错功能的端到端数据保护功能，这是可靠性、可用性与服务性(RAS)方面的关键功能。

先进的电源管理能力，代表这款切换器符合最严格的节能要求。

在热插入埠未使用时，将维持在低功耗状态。在满载条件和80°C的接面温度下，PI7C9X3G808GP 的功耗仅为2.9W。Diodes Incorporated的PI7C9X3G808GP采用196球BGA格式高效能覆晶封装方式，尺寸为 15mmx15mm。

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产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 55 A

Rds On-漏源导通电阻: 12.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 19 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 66 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 22 S

开发套件: EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7

下降时间: 4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 18 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 19 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

零件号别名: BSC123N08NS3 G SP000443916

单位重量: 172 mg

芯片还包括低噪音放大器(LNA),全差分图像抑制混合器,集成了压控振荡器(VCO)的片上锁相环(PLL),接收信号强度指示器(RSSI)和数字解调器.

器件具有33dB校准图相抑制,LNA输入具有±2.5kV HBM ESD 保护和±4kV.

高达200kbps数据速率(NRZ),工作电压1.8V-3.6V,工作温度-40C 到+105C,4mm x 4mm 12引脚TQFN封装.主要用在案家庭自动化和安全,建筑物接入控制,车库门开启(GDO),无钥匙遥控器(RKE), 胎压监测系统(TPMS)和餐厅传呼机.