D1处理器，其是全球首颗量产的搭载平头哥玄铁906 RISC－V的应用处理器，为万物互联AIoT时代提供了新的智能关键芯片。

芯片与平头哥玄铁906密切合作，结合公司在高清视频处理及系统架构方面的深度积累，集成自研的片内高速互联总线NSI和丰富应用接口，能够提供高性能的异构多核心计算处理和出色的图形加速能力。

其强劲的产品表现力从底层性能和规格设计上高度契合AIoT时代海量的场景需求，可广泛应用于智慧城市、智能汽车、智能商显、智能家电、智能办公等多个领域市场。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    60 V    

Id-连续漏极电流:    50 A    

Rds On-漏源导通电阻:    6.7 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    1.2 V    

Qg-栅极电荷:    67 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

长度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   5.15 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   38 S  

下降时间:   7 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   26 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   37 ns  

典型接通延迟时间:   15 ns  

零件号别名:  BSC067N06LS3 G SP000451084  

单位重量:  190 mg

它们具有丰富的I/O选项，包括10Gbit以太网、1Gbit以太网、PCIe、USB、SATA、RapidIO等。

由于在每个T4240中嵌入了数据路径加速逻辑，可以显著提高数据包分类和处理效率。此外，还能支持-55°C至125°C的宽工作温度范围。

除了这些设备在高可靠性环境下的特性描述、筛选和鉴定（以检查它们是否具有必要的稳健性、寿命和性能属性），Teledyne e2v还为T4240提供了Sn-Pb球选项。

在不受RoHS法规约束的应用领域中，这将是一个主要优势。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）