三星电子成功开发世界上首个64兆PRAM芯片
发布时间:2007/9/1 0:00:00 访问次数:391
三星电子(Samsumg)利用一种具有结晶态和非结晶态互变特性的相变化膜，日前成功开发世界上首个64兆PRAM（相位随机存储器）芯片。
PRAM是继现有的动态存储器之后的新一代半导体产品，目前世界半导体企业都在开发这种新型存储器。它是指在硅片上添加新物质，使制造的半导体同时具有动态随机存储芯片(DRAM)的高速处理性能和静态随机存取存储芯片(SRAM)的断电后信息储存功能。专家估计，今后几年内PRAM市场规模将达460亿美元大。
三星电子方面称，PRAM制造工艺比内存芯片较为简单，在现有的半导体生产线即可生产，具有较强的成本竞争力。据介绍，PRAM主要有如下特点：在2.5伏的低电压下即可工作； 在断电情况下不丢失信息，其工作速度、耐用性和集成度均显著优于目前的存储器；写入速度达到120纳秒(ns)、读出速度为60纳秒(ns)；比SRAM耐用性提高1000倍；85度以上的环境中正常保存数据2年以上。
三星电子表示，公司计划在进一步完善相位随机存储器的性能后，于2006年将这种存储器投入商业化生产。
（转自 综合韩电）
三星电子(Samsumg)利用一种具有结晶态和非结晶态互变特性的相变化膜，日前成功开发世界上首个64兆PRAM（相位随机存储器）芯片。
PRAM是继现有的动态存储器之后的新一代半导体产品，目前世界半导体企业都在开发这种新型存储器。它是指在硅片上添加新物质，使制造的半导体同时具有动态随机存储芯片(DRAM)的高速处理性能和静态随机存取存储芯片(SRAM)的断电后信息储存功能。专家估计，今后几年内PRAM市场规模将达460亿美元大。
三星电子方面称，PRAM制造工艺比内存芯片较为简单，在现有的半导体生产线即可生产，具有较强的成本竞争力。据介绍，PRAM主要有如下特点：在2.5伏的低电压下即可工作； 在断电情况下不丢失信息，其工作速度、耐用性和集成度均显著优于目前的存储器；写入速度达到120纳秒(ns)、读出速度为60纳秒(ns)；比SRAM耐用性提高1000倍；85度以上的环境中正常保存数据2年以上。
三星电子表示，公司计划在进一步完善相位随机存储器的性能后，于2006年将这种存储器投入商业化生产。
（转自 综合韩电）
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