放大器拥有三级增益，能够提供大于 30dB 的大信号增益和大于 50% 的效率，能够满足更低的系统直流功率要求，并为简化系统热管理解决方案提供支持。

今天推出的另一款该三级器件针对9.3-GHz 至 9.6-GHz工作而设计，采用 6×6mmQFN 封装，在 100-μs 脉冲宽度、占空比为 10% 条件下的功率为 25W。

MMIC 放大器中的CMPA801B030 系列在 7.9-GHz到 11-GHz 频率范围内工作，能够支持在 X-波段中实现更宽的带宽和更高的功率。

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制造商:Nexperia 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:360 mA Rds On-漏源导通电阻:1.6 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V Qg-栅极电荷:0.6 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:420 mW 通道模式:Enhancement 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1 mm 长度:3 mm 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 N-Channel Trench MOSFET 宽度:1.4 mm 商标:Nexperia 下降时间:5 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:4 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:10 ns 典型接通延迟时间:3 ns 零件号别名:934064132215 单位重量:25 mg

霍尔板的精密排列，传感器可以检测到360度的角度，并对抗外部杂散磁场。确定旋转角度只需要一个简单的两极磁铁。

理想情况下，磁铁应放置在轴端配置的敏感区上方。该传感器还支持杂散场稳健离轴测量.

HAL3970的片上信号处理计算出磁场分量的角度，并将该值转换为数字输出值。该传感器具有强大的DSP和嵌入式微控制器。

DSP负责快速信号处理，而微控制器则负责接口配置和功能安全相关任务的监控。

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