高di/dt的电流在流经MOSFET及其板级回路时，寄生电感存在会导致驱动器的地电位相对于控制器地电位瞬间抬升，驱动器的输入和地之间就相当于出现一个瞬间负压。

在极端情况下，可能造成驱动器内部输入ESD器件受损，驱动器出现失效。

出现输入负压的场景与对MOSFET进行电流采样相关。为了实现更精确的控制，有时在功率MOSFET和大地之间会接一个采样电阻，用这个采样电阻来检测流过MOSFET的电流，从而使控制器能快速做出响应。

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

2 N 沟道（双路降压斩波器）

FET 功能

标准

漏源电压（Vdss）

30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

15A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

5 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

17nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1157pF @ 15V

功率 - 最大值

2.5W

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerTDFN

供应商器件封装

PG-TISON-8

基本产品编号

BSC0925

ADuM7704的模拟输入由高性能模拟调制器持续进行采样，再转换成单比特的数字输出流，数据传输速率可达21MHz。

ADuM7704将高速互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术与单片变压器技术相结合，可实现片内隔离，从而提供优异的性能。

其应用范围包括分流电流监控、AC电机控制、电源和太阳能逆变器、风力发电机逆变器，以及用于取代模数转换器和光隔离器。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）