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磁珠L-C滤波器输出电压波纹降低到10μVRMS以下

发布时间:2021/4/16 12:29:47 访问次数:413

TPS6291x系列产品是高效率低噪音和低波纹同步降压转换器,非常适合用在对噪音敏感的应用如通常用LDO作为后稳压器的地方比如高速ADC,时钟和抖动清初器,串行化器,并行化器和雷达应用.

为连进一步降低输出电压的波纹,器件集成了回路补偿,和可选择的第二级磁珠L-C滤波器工作,这使得输出电压波纹降低到10 μVRMS以下.

低频率噪音电平,和低噪音LDO器件相仿,通过采用连接到NR/SS引脚的电容对内部电压基准来获得.TPS6291x器件是固定频率电流模式转换器.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.8 mOhms, 2.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 10 nC, 18.4 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 32 S, 43 S

下降时间: 3 ns, 2.6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3.8 ns, 3.6 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 17 ns, 19 ns

典型接通延迟时间: 4.7 ns, 4.1 ns

零件号别名: SP000934758 BSC923NDIXT BSC0923NDIATMA1

单位重量: 96.560 mg

GaN晶体管开关性能出色,工作频率更高,能效更高,散热发热更少,设计人员可以选用尺寸更小的磁性组件和散热器,设计更小、更轻的电源、充电器和适配器。

MasterGaN4非常适用于对称半桥拓扑以及软开关拓扑,例如,有源钳位反激式和有源钳位正激式变换器。4.75V-9.5V的宽电源电压方便MasterGaN4连接到现有电源轨。

内置保护功能包括栅极驱动器互锁、高低边欠压锁定(UVLO)以及过热保护,可进一步简化应用设计。还有一个专用的关断引脚。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

TPS6291x系列产品是高效率低噪音和低波纹同步降压转换器,非常适合用在对噪音敏感的应用如通常用LDO作为后稳压器的地方比如高速ADC,时钟和抖动清初器,串行化器,并行化器和雷达应用.

为连进一步降低输出电压的波纹,器件集成了回路补偿,和可选择的第二级磁珠L-C滤波器工作,这使得输出电压波纹降低到10 μVRMS以下.

低频率噪音电平,和低噪音LDO器件相仿,通过采用连接到NR/SS引脚的电容对内部电压基准来获得.TPS6291x器件是固定频率电流模式转换器.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.8 mOhms, 2.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 10 nC, 18.4 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 32 S, 43 S

下降时间: 3 ns, 2.6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3.8 ns, 3.6 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 17 ns, 19 ns

典型接通延迟时间: 4.7 ns, 4.1 ns

零件号别名: SP000934758 BSC923NDIXT BSC0923NDIATMA1

单位重量: 96.560 mg

GaN晶体管开关性能出色,工作频率更高,能效更高,散热发热更少,设计人员可以选用尺寸更小的磁性组件和散热器,设计更小、更轻的电源、充电器和适配器。

MasterGaN4非常适用于对称半桥拓扑以及软开关拓扑,例如,有源钳位反激式和有源钳位正激式变换器。4.75V-9.5V的宽电源电压方便MasterGaN4连接到现有电源轨。

内置保护功能包括栅极驱动器互锁、高低边欠压锁定(UVLO)以及过热保护,可进一步简化应用设计。还有一个专用的关断引脚。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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